サムスンのストライキに対しマイクロンが引き抜きを実施。マイクロンが韓国でHBM人材を採用：メモリー業界の勢力図を塗り替える好機を掴めるか？

マイクロンがHBM（高帯域幅メモリー）の「ビッグスリー」の中で出遅れた主な理由は、エヌビディアの (NVDA) 最新のRubin（ルービン）アーキテクチャを採用したAI向けGPUの初期受注を逃したことにある。同社の主力HBM4製品がエヌビディアの初期認定を通過できず、結果として受注がSKハイニックスとサムスン電子に分かれる形となった。

しかし、これはマイクロンの技術力が劣っているためではなく、むしろ同社がDRAMやHBM4のベースダイを自社で設計することを選択したためである。SKハイニックスはTSMCの (TSM) の先端プロセスを採用した一方、サムスンは自社でファウンドリーを保有している。これはマイクロンの「一から構築する」アプローチとは異なり、HBM4のプロセス精度において競合他社に大きく差をつけられる原因となった。

現在、マイクロンの経営陣からの情報によると、同社は2026年第2四半期に最適化したHBM4ソリューションを認定試験に再提出する計画であり、2026年後半に高歩留まりでの量産を実現することで、中価格帯のAIチップやRubinアーキテクチャの後継モデルにおける市場シェアの奪還を目指している。

マイクロンがサムスンのストライキ中に韓国人従業員を採用するという決定は、同社のHBM研究開発に新たな活力を注入し、長期的な競争力を強化する可能性がある。しかし、短期的にはサムスンを追い越すことは依然として困難だ。現在マイクロンが直面している最も重大な課題は、エヌビディアの初期受注を逃したことで、サムスンやSKハイニックスに対して約9カ月の開発サイクルの遅れを取っていることである。サムスンが次段階で着実な進展を維持する限り、不測の事態がない限り、マイクロンがその差を一気に縮めることは難しいだろう。さらに、マイクロンのHBM生産能力は韓国の競合2社よりも大幅に小さく、現在急増しているメモリ需要に対応しきれていない。

長期的には、マイクロンは競合2社との差別化競争を通じてブレイクスルーを達成することが期待されている。マイクロンは、エヌビディアが最も重視する技術的ポイントの一つである消費電力の抑制と放熱技術において、サムスンやSKハイニックスを大きくリードしている。マイクロンは24Gb DRAMダイを最初に開発した。HBMはこれらのDRAMチップを多層積層することで大容量化を実現する。マイクロンの24Gb DRAMダイは、競合他社が12層を必要とするのと同等の容量をわずか8層の積層で達成でき、これがマイクロンの構造的な複雑さを低減させているのは間違いない。サムスンから人材を吸収することで、マイクロンは競合の経験を取り込み、より強固な技術的障壁を構築する構えだ。

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