三星罢工遭美光“挖墙脚”！美光在韩招聘HBM人才 能否借机改写存储行业格局？
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三星与工会就奖金分配达成初步协议，暂停罢工，但遭股东反对。在此背景下，美光在韩国招聘HBM设计人才，意在争夺流失的三星半导体人才，以追赶HBM4领域进度。美光此前因HBM4未能通过英伟达Rubin架构首批认证，错失订单，且在工艺精度上落后于拥有晶圆厂的三星和依赖台积电的三星。美光计划2026年下半年量产HBM4，力求在中端AI芯片及后续机型中夺回市场份额。尽管美光在功耗控制和散热技术上有优势，且单颗24Gb DRAM颗粒可降低堆叠层数，但短期内难以超越三星，因其已落后约9个月研发周期，且产能不足。长期来看，美光或通过差异化竞争实现突破。
TradingKey - 5月21日（周四），三星宣布劳资双方已达成初步协议，包括资方将拿出公司业绩的10.5%作为不设上限的奖金来源等条件。三星电子在声明中表示，将暂停原定于5月21日-6月7日进行的罢工计划。
但这份初步协议遭到股东团体的反对，他们表示，该协议在未经股东大会决议的情况下敲定，于法律上无效。
与此同时，Business Korea等媒体报道称，美光（MU）近期在韩国启动HBM设计岗位招聘，或旨在争取三星紧张的劳资关系下可能流出的半导体人才，此举被视为美光在HBM4领域追赶对手的行动。
美光近期在韩国发布的多个岗位主要聚焦于下一代HBM研发，旨在为AI、机器学习及高性能计算应用开发HBM解决方案。工作涵盖DRAM电路设计、功耗与面积及速度优化、架构评审及功能验证，以及基于硅通孔（TSV）的3D堆叠、功耗优化及高速接口等核心技术的研发。
分析指出，美光之所以希望挖掘三星的人才，主要是为了追赶其在HBM4竞赛中落后的进度。
错失英伟达Rubin首批订单 美光HBM4输在哪里？
美光之所以在HBM三巨头中掉队，最直接的原因是错过了英伟达（NVDA）最新的Rubin架构AI显卡的首批订单，其HBM4核心产品未能通过英伟达的首期资格认证，导致英伟达的订单被SK海力士和三星瓜分。
不过，这并不是因为美光在技术上落后，而是该公司选择自行设计DRAM与HBM4的基础芯片。SK海力士选择了台积电（TSM）的先进工艺，而三星自身就拥有晶圆厂，这与“白手起家”的美光不同，因此美光在HBM4的工艺精度上远远落后于竞争对手。
目前，根据美光高管透露的信息，美光计划在2026年第二季度重新提交HBM4的优化方案，并进行资格测试，预计在2026年下半年努力扩大高良率生产，以期在中端AI芯片及Rubin架构的后续机型中重新获得市场份额。
美光是否能借机赶上三星？
本次美光在三星罢工潮爆发之际选择招聘韩国员工，或有望补充HBM研发领域的新鲜血液，从而补足长期竞争力，但在短期之内依然很难超越三星。美光现在面临的最大的问题，是因为错过英伟达的首批订单，现在已经与三星及SK海力士拉开了约9个月的研发周期时间差。只要三星在下一阶段稳扎稳打，不出意外，美光是很难一次性追赶上进度的。此外，美光的HBM产能远小于这两家韩国企业，根本无法满足目前急速膨胀的存储需求。
从长期来看，美光有望通过与这两位对手的差异化竞争来实现突破。美光在功耗控制和散热技术上远远领先于三星和SK海力士，这是英伟达最看重的技术亮点之一。美光率先研发出了单颗容量高达24Gb的DRAM颗粒，HBM需要通过对DRAM芯片的多层堆叠来实现高容量。而美光的24Gb DRAM颗粒，只需要叠8层，就能实现竞争对手叠12层才能达到的效果，这无疑为美光降低了结构的复杂程度。通过对三星人才的吸纳，美光有望吸收对手的经验，形成更坚固的技术护城河。
