エヌビディアとTSMCを凌駕。SKハイニックス、72%の営業利益率が過去最高の決算を支える
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SKハイニックスは、DRAMおよびNAND型フラッシュ製品の価格上昇と高付加価値製品の比率増加により、創業以来最高の四半期決算を発表した。AIコンピューティングにおける高性能メモリーチップの需要増が、伝統的な閑散期にもかかわらず収益性を押し上げた。同社は、AI関連投資の拡大と旺盛な顧客需要に対応するため、生産能力の拡大を加速しており、設備投資を大幅に増加させる計画である。HBM4の開発や次世代LPDDR6の量産など、AIメモリー分野での競争力強化に注力する。
TradingKey - 木曜朝、韓国のメモリーチップ大手SKハイニックスは創業以来最高となる四半期決算を発表した。売上高と利益の両指標が過去最高を記録し、四半期売上高は初めて50兆ウォンの大台を突破。その収益性は世界の半導体業界で際立っている。
最新の決算報告書によると、SKハイニックスは2026会計年度第1四半期に52兆5800億ウォンの営業収益を達成し、前四半期比で160％増、2025年の同時期と比較すると298％という大幅な増加を記録した。営業利益は37兆6100億ウォンに達し、前四半期比196％増、前年同期比では505％急増した。
それに対応する営業利益率は72％に達し、創業以来の四半期ベースで過去最高を更新した。SKハイニックスのような設備集約型のメモリーメーカーにとって、これほど強力な利益の弾力性は極めて稀である。
業界横断的な視点で見ると、SKハイニックスの72％という営業利益率は、エヌビディア（ NVDA）が2025年第4四半期に記録した半導体業界のピークである65％を上回っただけでなく、台湾積体電路製造（ TSM ）の2026年第1四半期における営業利益率58.1％も大幅に上回った。
業績の大幅な伸びの理由について、SKハイニックスはDRAMおよびNAND型フラッシュ製品の継続的な価格上昇に加え、収益構成における高付加価値製品の比率が高まったことを挙げた。
経営陣は、AIコンピューティングによる高性能メモリーチップの戦略的需要がますます顕著になる一方で、世界のハイエンドメモリーの供給能力は依然として逼迫していると強調した。この需給の不均衡は長期間続くと予想され、製品価格の高止まりを支える要因となる。
第1四半期は通常、メモリーチップ業界にとって伝統的な閑散期であるが、AIインフラへの巨額投資が強力な需要増を生み出し、トレンドに逆行して同社の収益性を押し上げた。
好調な決算報告を受けて、同社の株価は韓国市場の取引序盤で一時3.6％上昇したが、その後上げ幅を縮小し、0.16％高で取引を終えた。
SKハイニックス、生産能力の拡大を加速
AI計算能力に対する需要の急増を背景に、世界のDRAM市場では技術と市場シェアを巡る激しい争いが繰り広げられている。
未来アセット証券の推計によると、第1四半期のDRAMの平均販売価格は前期比で60.8％上昇し、NAND型フラッシュメモリは55.3％上昇した。データセンター投資の拡大に伴い、企業向けソリッド・ステート・ドライブ（SSD）の需要も大幅な伸びを見せている。
カウンターポイント・リサーチの最新の調査データによると、メモリ価格の継続的な上昇に後押しされ、DRAM市場は2四半期連続で前期比30％の成長を達成した。この価格上昇の主な要因は、AIチップによって引き起こされた高帯域幅メモリ（HBM）に対する爆発的な需要である。
企業の決算報告によれば、現在の顧客需要は供給能力を完全に上回っている。この市場動向に基づき、SKハイニックスは2026年を戦略的な生産能力拡大のための重要な時期と位置づけている。今年度の設備投資は前年比で大幅に増加する見通しで、龍仁（ヨンイン）クラスターのインフラ整備、M15X生産ラインの増産、および主要装置の調達に重点を置く。
SKハイニックスは、2026年の投資規模が2025年に計画されている30兆2000億ウォンを大幅に上回ることを明言しており、M15X技術ライン、龍仁（ヨンイン）キャンパスのインフラ、およびEUV装置の導入に注力する方針だ。今年第1四半期末時点で、同社の現金及び現金同等物は54兆3000億ウォンに達した一方、有利子負債は19兆3000億ウォンに減少し、35兆ウォンのネットキャッシュを確保している。
同時に、SKハイニックスは約19兆ウォンの先端パッケージング工場への投資計画を進めており、2027年までにASMLから総額約11兆9500億ウォンのEUV装置を調達する予定だ。業界の利益が、企業の損益計算書から装置の調達、パッケージング技術の高度化、および生産能力の拡大へと徐々にシフトしていることは明らかである。
SKハイニックスは「中長期的な需要拡大に積極的に対応するため、戦略的に生産規模を拡大し、供給の安定性と財務の健全性を確保していく」と述べた。
SKハイニックス、AIメモリーに注力
AIの基幹分野であるHBMにおいて、同社はHBM4の開発を推進するため顧客と緊密に連携しており、合意したスケジュールに従って量産体制を拡大する計画だ。
一方、DRAM部門では、業界初となる1cnm LPDDR6の開発を他社に先駆けて完了した。これは下半期に、大手スマートフォン顧客の次世代フラッグシップモデルに合わせて大規模に供給される予定である。さらに、NVIDIAのVera Rubinプラットフォーム向けに最適化された1cnm 192GB SOCAMM2の量産も開始した。
NAND型フラッシュメモリー部門では、CTF構造と321層QLC技術を採用したクライアント向けSSD「PQC21」を発売した。企業向けSSD（eSSD）については、高性能TLCと大容量QLCを組み合わせたバランスの良い製品ラインアップを構築しており、Solidigmの技術的優位性を生かしてAIデータセンターやAI PC向けストレージ市場での競争力を高めていく方針だ。
SKハイニックスは、AIが大規模モデルの学習段階から自律型AIへと進化しており、リアルタイム推論の活用シーンが広がることで、メモリー需要の基盤は今後も拡大し続けると分析している。この長期的なトレンドにより、DRAMとNAND型フラッシュメモリーの双方が恩恵を受ける見通しだ。
これに向け、同社は継続的な製品のアップグレードを通じて多様な需要に対応することを明確にした。特にHBM製品については、性能、歩留まり、品質、供給安定性の4つの側面からサプライチェーン全体の供給能力を強化し、AI時代の構造的な成長需要に応えていく。
このコンテンツはAIを使用して翻訳され、明確さを確認しました。情報提供のみを目的としています。
