超越英伟达台积电！SK海力士72%营业利润率撑起史上最强财报
AI播客
SK海力士公布创纪录的2026财年第一季度业绩，营收和营业利润均大幅增长，营业利润率达72%，创历史新高，超越英伟达和台积电。业绩增长主要归因于DRAM和NAND闪存价格上涨，以及高附加值产品营收占比提升。AI算力需求驱动DRAM和NAND闪存市场价格持续上涨，SK海力士计划通过提升资本开支、建设龙仁集群、M15X产线及采购EUV设备来战略性扩张产能。公司正加速HBM4、LPDDR6及先进封装技术的开发与量产，以满足AI时代不断增长的存储需求。
TradingKey - 本周四早间，韩国存储芯片巨头SK海力士披露了创立以来最为亮眼的单季成绩单，营收与利润指标双双刷新历史纪录，季度营收首次突破50万亿韩元大关，盈利能力在全球半导体行业中脱颖而出。
根据最新财报，SK海力士2026财年第一季度实现营业收入52.58万亿韩元，较上一季度激增160%，同比2025年同期更是大幅增长298%；营业利润达到37.61万亿韩元，环比暴涨196%，同比增幅高达505%。
对应的营业利润率升至72%，创下公司成立以来的单季最高水平，对于SK海力士这类重资产属性的存储厂商而言，如此强劲的利润弹性比较少见。
从行业横向对比来看，SK海力士72%的营业利润率不仅超过了英伟达（NVDA）2025年第四季度创下的65%的半导体行业峰值纪录，也大幅领先台积电（TSM）2026年第一季度58.1%的营业利润率。
对于业绩大幅增长的原因，SK海力士将其归结为DRAM和NAND闪存产品价格的持续上涨，以及高附加值产品在营收结构中占比的不断提升。
公司管理层强调，当前人工智能计算对高性能存储芯片的战略需求日益凸显，而全球范围内的高端存储产能仍处于紧张状态，这一供需失衡格局预计将在未来较长时间内持续，为产品价格维持高位提供支撑。
尽管一季度通常是存储芯片行业的传统淡季，但人工智能基础设施建设的大规模投资创造了强劲的需求增量，推动公司盈利能力逆势攀升。
受财报利好影响，该公司股价在韩国早盘交易中一度上涨3.6%，随后涨幅收窄，最终收涨0.16%。
SK海力士加速产能布局
受AI算力需求爆发带动，全球DRAM市场正上演激烈的技术与份额争夺战。
Mirae Asset Securities估算，第一季度DRAM平均售价较上一季度上涨60.8%，NAND闪存涨幅则达55.3%，随着数据中心投资规模的扩大，企业级固态硬盘（SSD）的需求也出现显著增长。
Counterpoint Research最新监测数据显示，受内存价格持续走高的拉动，DRAM市场已连续两个季度实现30%的环比增长，而这一轮涨价潮的核心动力，正是AI芯片对高带宽内存（HBM）的爆发式需求。
公司财报显示，当前客户需求已全面超出供应能力，基于这一市场格局，SK海力士将2026年定位为战略性产能扩张关键期——本财年资本开支将较上年显著提升，重点用于龙仁集群基础设施建设、M15X产线爬坡及关键设备采购。
SK海力士明确表示，2026年的投资规模将显著高于2025年的30.2万亿韩元，核心聚焦M15X技术产线、龙仁园区基础设施以及EUV设备布局。截至今年一季度末，公司现金及现金等价物已增至54.3万亿韩元，有息负债则降至19.3万亿韩元，实现35万亿韩元的净现金储备。
与此同时，SK海力士正推进规模约19万亿韩元的先进封装工厂投资计划，并将在2027年前向ASML采购总价值约11.95万亿韩元的EUV设备。可以看到，行业利润正逐步从企业利润表，流向设备采购、封装技术升级及产能扩张环节。
SK 海力士表示：“我们将战略性地扩大生产规模，以便能够积极应对中长期需求的增长，我们将确保供应的稳定性和财务的稳健性。”
SK海力士押注AI存储
在AI核心的HBM领域，公司正与客户深度协同推进HBM4开发，计划按约定进度实现量产爬坡。
同时DRAM领域已率先完成业界首款1cnm LPDDR6开发，将于下半年随某头部智能手机客户的下一代旗舰机型规模化供货，同时针对英伟达Vera Rubin平台优化的1cnm 192GB SOCAMM2已启动量产。
在NAND闪存领域，采用CTF架构321层QLC技术的PQC21客户端固态硬盘已推向市场，企业级固态硬盘（eSSD）布局了高性能TLC与高容量QLC的均衡产品线，还将借助Solidigm在高容量QLC eSSD上的技术优势，深化AI数据中心与AI PC存储市场的竞争力。
SK海力士判断，人工智能正从大模型训练阶段向自主式AI演进，实时推理循环场景的普及将持续拓宽内存需求基本面，DRAM与NAND闪存两大品类均将受益于这一长期趋势。
为此，公司明确将通过持续迭代新品覆盖多样化需求场景，尤其针对HBM产品，将从性能、良率、质量与供应稳定性四大维度强化全链路交付能力，以匹配AI时代的结构性增长需求。
