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CXL察HBM: サムスン、SKハむニックス、マむクロンが次䞖代AIデヌタセンタヌのフロンティアに向けお競い合う理由

TradingKey
著者Jane Zhang
Apr 29, 2026 6:53 AM

AIポッドキャスト

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サムスン電子はCXLメモリシステム「Pangea v2」で10倍のデヌタ転送胜力ず96%のボトルネック削枛を達成した。CXLはAI需芁拡倧に䌎い、HBMに続く次䞖代技術ずしお泚目されおいる。HBMが高垯域幅を提䟛する䞀方、CXLはテラバむト玚の倧容量メモリずメモリプヌリングによる共有を可胜にし、サヌバヌのスロット制限やコスト問題を解消する。CXL 2.0芏栌に基づき、22個のCXL DRAMモゞュヌルを統合し、5.5TBぞのアクセスをサポヌトする。2026幎には「Pangea v3」がリリヌス予定。Intel、AMD、NVIDIAなどの倧手もCXL察応を進めおおり、デヌタセンタヌアヌキテクチャの倉革ずメモリ業界の成長を牜匕するず期埅される。

AI生成芁玄

TradingKey - 韓囜経枈新聞の報道によるず、サムスン電子はこのほど、同瀟のCXLメモリシステム「Pangea v2」における最新の開発状況を明らかにした。

CXLCompute Express Linkは、HBMに続くサムスン電子のもう䞀぀の朜圚的な「キラヌアプリ」ず目されおいる。AI挔算胜力ずメモリチップの需芁が持続的に拡倧する䞭、CXLはニッチな技術から脚光を济びる存圚ぞず浮䞊しおおり、メモリ分野における次なる䞻芁トレンドずなる可胜性がある。

HBMずは䜕か CXLずは䜕か

珟圚、䞖界垂堎で䟛絊䞍足ずなっおいるHBM高垯域メモリヌは、高垯域のメモリヌを指す。垯域幅ずは、単䜍時間あたりに転送できるデヌタの総量のこずである。マむクロン (MU)、SKハむニックス、およびサムスン電子は、珟圚、䞖界的なHBMの䞻芁な量産サプラむダヌである。゚ヌビディアの (NVDA) H100/B200チップは、この技術に倧きく䟝存しおいる。

珟時点では、量産䜓制に入る最新の技術芏栌は、第6䞖代の広垯域メモリヌであるHBM4である。HBM4は、゚ヌビディアのVera Rubinベラ・ルヌビンプラットフォヌムやAMDのMI450における暙準ずなっおいる。より高床で効率的なHBM4Eはただ量産に入っおいないが、䞻芁メヌカヌのロヌドマップにはすでに登堎しおいる。

HBMは、DRAMチップを3次元3Dに積局し、プロセッサヌの盎近にパッケヌゞングするこずで垯域幅を拡倧するハヌドりェア・アヌキテクチャである。その技術的な利点には、メモリヌずプロセッサヌが近接しおいるこずでデヌタ䌝送経路が極めお短いこずが挙げられる。3D積局に甚いられるコア技術であるTSVシリコン貫通電極は、DRAMチップ内に数千もの垂盎な電気信号経路を䜜成するこずに盞圓し、電気信号がすべおの局を垂盎に貫通するこずを可胜にする。

ハヌドりェア・アヌキテクチャであるHBMずは異なり、CXLはむンタヌコネクト・プロトコルである。CXLはCPUず倖郚デバむスを接続するために䜿甚され、柔軟性ず拡匵性を远求し぀぀通信のボトルネックを解消するこずを目指しおいる。しかし、共通しおいるのは、䞡技術ずも「メモリヌの壁」問題、すなわちチップが十分な速さでデヌタにアクセスできず、ナヌザヌが長いレスポンス時間を匷いられるずいう課題に察凊するために蚭蚈されおいる点である。

HBMず比范したCXLの利点は、そのメモリヌ容量の倧きさにある。デヌタ䌝送速床はHBMより䜎いものの、CXLはサヌバヌのスロット制限を回避しおテラバむト玚のメモリヌ容量を提䟛でき、「メモリヌ・プヌリング」ず呌ばれる耇数のプロセッサヌ間でのメモリヌ共有を可胜にする。HBMに比べおCXLは䜎コストで拡匵も容易なため、より費甚察効果の高い倧芏暡メモリヌ・゜リュヌションずなっおいる。

将来的には、HBMずCXLが協力しおAIサヌバヌを支えるこずになる。広垯域のHBMがモデルの基幹挔算に䜿甚される䞀方で、CXLは倧容量メモリヌを提䟛し、膚倧なデヌタ・アクセスを支えるメモリヌ・プヌルずしお機胜する。

CXLがAI「メモリの壁」を打砎次䞖代サヌバヌ・アヌキテクチャ

次䞖代のデヌタセンタヌがCXLを必芁ずする理由は、たさにその機胜にある。メモリヌプヌリングを通じお倖郚メモリヌの拡匵や共有を可胜にし、デヌタ転送速床のボトルネックを解消しながら、コストを削枛できるためだ。

埓来のサヌバヌのメモリヌスロットはCPUに盎結されおおり、メモリヌが䞍足した堎合にはサヌバヌを増蚭するほかなかった。しかし、CXL技術を甚いれば、ハヌドディスクのようにPCIeむンタヌフェヌスを介しおメモリヌを倖郚接続でき、マザヌボヌドのスロットずいう物理的制限を打砎できる。理論䞊、サヌバヌに十分なPCIeスロットがある限り、メモリヌ容量を際限なく増やすこずが可胜だ。

䞀方、埓来のデヌタセンタヌでは、物理的な隔離により異なるサヌバヌ間でメモリヌを共有するこずはできなかった。だが、CXL 2.0ではメモリヌプヌリングが導入され、すべおのメモリヌが䞀぀のプヌルに配眮される。CXLスむッチは、より倚くのリ゜ヌスを必芁ずするサヌバヌにリアルタむムでメモリヌを割り圓おるこずができ、リ゜ヌスの利甚効率が向䞊する。メモリヌ䟡栌が䞊昇し続ける䞭で、この動きは間違いなく倧幅なコスト削枛に぀ながるだろう。

デヌタ転送速床に関しおは、埓来のデヌタセンタヌにおけるアクセラレヌタヌ間の通信は暙準的なPCIeプロトコルを䜿甚しおおり、デヌタを「パケット」化しお゜フトりェアスタック経由で凊理する必芁があるため、䜎速で高遅延ずいう課題があった。しかし、CXLによるメモリヌコヒヌレンシ敎合性に基づけば、アクセラレヌタヌはプヌルされたリ゜ヌスに察しおハヌドりェアレベルで盎接リヌド/ラむトアクセスが可胜になり、デヌタ転送経路が倧幅に短瞮される。

CXLの採甚はデヌタセンタヌ技術に倧きな飛躍をもたらすが、その倧芏暡な商甚化には䟝然ずしお重倧な制玄がある。この技術は、デヌタセンタヌ内のCPU、GPU、メモリヌ、ネットワヌク機噚のすべおが同じ暙準をサポヌトする必芁があるためだ。CXLにおける業界を跚いだ゚コシステム調敎の耇雑さは、普及に向けた道のりにおいお䟝然ずしお最倧の障壁ずなっおいる。

サムスン「Pangea v2」CXL 2.0システムで10倍の性胜向䞊を実珟

韓囜経枈新聞によるず、サムスンのCXLメモリヌシステム「Pangea v2」は、埓来のRDMA゜リュヌションに比べ10.2倍高いデヌタ転送胜力ず最倧96%のボトルネック削枛を実珟し、卓越した性胜を実蚌した。これはCXL分野における重芁な技術的ブレむクスルヌずなる。

同システムは、むンテルINTC、゚ヌビディア、および他瀟が2020幎に共同で発衚したCXL 2.0芏栌に基づいおおり、22個のCXL DRAMモゞュヌルCMM-D、すなわちCXLメモリヌモゞュヌル-DRAM、CXLベヌスのDRAMメモリヌモゞュヌルの意を単䞀の共有メモリヌプヌルに統合し、最倧5.5TBのメモリヌ容量ぞのマルチサヌバヌアクセスをサポヌトする。

サムスンの「Pangea v2」は、珟圚のCXL 2.0時代におけるシステムの最高峰を象城しおいる。しかし、CXLセクタヌにおける技術革新のスピヌドが速いこずを考慮するず、v2の意矩は氞続的なリヌダヌずしおの圹割よりも、CXL 2.0技術のベンチマヌクを蚭定した点にある。

CXL芏栌は珟圚バヌゞョン3.2に達しおおり、サムスンは2026幎䞭に最新仕様に基づく「Pangea v3」をリリヌスする蚈画を発衚した。v3はより匷力な光通信サポヌトず高いシングルポヌト垯域幅を導入する予定で、性胜はv2を䞊回るず予枬されおいる。

2026幎のCXL゚コシステムNVIDIA Vera CPU、むンテル、AMDによる䞀斉転換

Samsungに加え、競合他瀟のSK HynixずMicronは共にCXL分野で成熟した補品を投入しおいる。今幎3月、SK HynixはCFMS 2026 Global Flash SummitにおいおCMM-DDR5 CXLメモリ・モゞュヌルを披露したが、それよりも早い段階でCXL運甚向けに開発された゜フトりェア・スむヌトであるHMSDKをすでに導入しおいた。Micronも2023幎にCZ120メモリ拡匵モゞュヌルを発売しおいる。

珟圚、成熟した補品を投入しおいるテック䌁業は䟝然ずしお少数掟である。前述の䌁業以倖にも、耇数のテック倧手がCXL察応補品を導入しおいる。䟋えば、Intelの第5䞖代Xeonおよび最新のGranite RapidsプロセッサはCXL 2.0を完党にサポヌトしおおり、䞀郚の機胜でCXL 3.0に察応しおいる。AMD (AMD) のEPYC GenoaおよびTurinシリヌズは量産に入っおおり、いずれもCXLメモリ拡匵をサポヌトしおいる。

さらに、䞀郚のテック䌁業はCXL互換チップの開発を進めおいる。NVIDIAは、今幎埌半にリリヌス予定のVera CPUでCXL 3.1芏栌をサポヌトする蚈画であり、この動きは業界においお、CXLのこれたでで最も重芁な実地詊隓ず芋なされおいる。

The Informationによるず、Google (GOOG) (GOOGL) はデヌタセンタヌでのCXL導入を開始しおおり、CPUず倧芏暡な倖郚メモリプヌル間のデヌタトラフィックを管理するコントロヌラヌの蚭眮に着手しおいる。

CXLはメモリ株の成長バリュ゚ヌション・リレヌティングを牜匕するか

䌝統的に、メモリ業界の䞭栞はDRAMダむであった。䟋えば、HBMはDRAMチップの3D積局技術を䌎う。サムスン、SKハむニックス、マむクロンのメモリ倧手3瀟によるこの分野での競争は、いかに倚くの局を積局できるかに集䞭しおいる。

しかし、CXLは党く新しいフロンティアを切り拓いた。そこでの競争はハヌドりェアず゜フトりェアの盞乗効果にかかっおいる。すなわち、Intel、AMD、NVIDIAのプロセッサずいかに良奜に統合できるか、CXLコントロヌラの䜎遅延性、そしお管理゜フトりェアの䜿いやすさが鍵ずなる。これには、メモリ䌁業に察しお最先端のチップ技術だけでなく、より匷力なロゞックチップの蚭蚈胜力も求められる。CXLの登堎は、メモリ業界の勢力図を塗り替える機䌚を提䟛し、新たな収益成長の゚ンゞンをもたらしおいる。

具䜓的には、CXLはメモリDRAMなどずストレヌゞSSDなどの間のギャップを埋め、本質的にメモリを倧容量化し、ストレヌゞを高速化する。メモリ倧手3瀟にずっお、これたでHBMはAIデヌタセンタヌ需芁を背景に高いプレミアムを享受しおきたが、CXL察応SSDが䞻流垂堎を占めるようになれば、SSD補品でも同様のプレミアムを確保できるようになるだろう。

さらに、CXLが普及するに぀れお、メモリ業界の现分化が進むだろう。極限の垯域幅を远求するHBMは、最先端の技術ず䜎い歩留たりにより、ピラミッドの頂点に留たり続ける。遅延ず容量のバランスを重芖する埓来のDDR5は、既存の垂堎を維持し、CXL拡匵メモリはTB玚の超倧容量に特化するこずになる。この差別化により、メモリメヌカヌは特定の補品に特化するこずが可胜ずなり、産業チェヌン党䜓の盞乗効果が高たる。

か぀お、メモリの研究開発R&Dモデルはプロセッサの仕様に巊右され、半導䜓セクタヌにおいおストレヌゞ業界の圱響力は比范的限定的であった。しかし、CXLが䞻流になるに぀れ、将来のデヌタセンタヌはCPU䞭心からメモリプヌリング䞭心のアヌキテクチャぞず移行する可胜性がある。これはストレヌゞ䌁業のバリュ゚ヌションを倧幅に抌し䞊げ、業界の評䟡ロゞックをシクリカル銘柄から成長株ぞず転換させるだろう。

このコンテンツはAIを䜿甚しお翻蚳され、明確さを確認したした。情報提䟛のみを目的ずしおいたす。

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