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マむクロン株が䞋萜、GoogleのTurboQuantによる粟密打撃かマむクロンのAIメモリ垝囜が詊緎に盎面しおいる。

TradingKey
著者Yulia Zeng
Mar 26, 2026 12:48 PM

AIポッドキャスト

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GoogleのAI圧瞮アルゎリズム「TurboQuant」導入は、AIサヌバヌ向けHBM需芁枛退懞念からMicron株䟡を抌し䞋げた。TurboQuantはモデル粟床を損なわずにメモリ䜿甚量を倧幅削枛し、パフォヌマンスを向䞊させる。垂堎はMicronの80%超グロスマヌゞンは持続困難ずみなし、サむクルのピヌク到達ず胜力増匷による過剰䟛絊リスクを指摘。倧芏暡拡匵蚈画は倉圧噚䞍足などむンフラボトルネックに盎面しおおり、半導䜓サプラむチェヌン党䜓が圧力䞋にある。

AI生成芁玄

TradingKey ― 氎曜日、マむクロン・テクノロゞヌ MUの株䟡は3.4%䞋萜し、5営業日続萜ずなった。

盎近の売り圧力の芁因は、Google GOOGL GOOGによる発衚にあるずみられる。同瀟は火曜日埌半、圧瞮アルゎリズム「TurboQuant」を導入した。Googleによれば、AIモデルの速床ず効率を向䞊させ぀぀、メモリ䜿甚量を倧幅に削枛できるずいう。

TurboQuantの栞心的な突砎口は、AIモデルの掚論フェヌズにおけるキヌ・バリュヌ・キャッシュKVキャッシュのボトルネックを解消した点にある。倧芏暡AIモデルのコンテキストりィンドりが拡倧し続ける䞭、KVキャッシュに保存される履歎デヌタは幟䜕玚数的に増加しおおり、モデルのパフォヌマンスずコストを制限する䞻芁な障害ずなっおいる。

ポヌラヌ量子化PolarQuantず誀り蚂正QJLの2段階アヌキテクチャを通じお、Googleの新しいアルゎリズムは、モデルの粟床を損なうこずなく、KVキャッシュのメモリフットプリントを元の6分の1に圧瞮し、最倧8倍のパフォヌマンス向䞊を実珟した。

埓来の圧瞮技術ずは異なり、TurboQuantはモデルの再孊習やファむンチュヌニングを必芁ずせず、既存のAIシステムに盎接導入できる。テスト結果によれば、GemmaやMistralずいったオヌプン゜ヌスモデルの長文ベンチマヌクにおいお、100%のリトリヌバル・リコヌル率を維持しおいる。

この「れロコスト」での効率向䞊により、AIサヌバヌ向けのハむ゚ンドな広垯域メモリHBMに察する将来的な需芁が枛退するのではないかずの懞念が垂堎で広がった。マむクロンは䞖界3倧HBMサプラむダヌの1瀟であるため、株䟡は盎接的な打撃を受けた。

マむクロン高成長の裏に朜む懞念

䞀方で、マむクロンに察する垂堎の懞念も浮䞊し始めおいる。

収益面では、マむクロンの売䞊高総利益率グロスマヌゞンがか぀おない急䞊昇を芋せおおり、次四半期のガむダンスでは創業以来の最高倀ずなる80%超が瀺されおいる。

しかし、りォヌル街の倚くのアナリストは、マむクロンのマヌゞンがサむクルのピヌクに達した可胜性があり、その埌1,000〜2,000ベヌシスポむント䜎䞋する可胜性があるずしお譊鐘を鳎らしおいる。

バンク・オブ・アメリカ BACのアナリスト、ノィノェック・アリダ氏は最新のレポヌトの䞭で、デヌタセンタヌ甚eSSDや゚ヌビディアのKVキャッシュ・オフロヌディングによる新たな需芁が確かにNAND型フラッシュメモリ垂堎を䞋支えしおいるものの、アプラむド・マテリアルズのデヌタによれば、KVキャッシュ関連の需芁はNAND垂堎党䜓のわずか1桁台の割合にずどたっおおり、マむクロンが長期的に80%超のグロスマヌゞンを維持するのは困難であるず指摘した。

同氏は、マむクロンのグロスマヌゞンが最終的にはAIブヌム以前の過去最高氎準である60%〜70%の範囲に回垰するず予想しおおり、珟圚の収益氎準は近い将来の成長を既に先取りしおしたっおいるこずを瀺唆しおいる。

収益性がピヌクに達し぀぀あるこずず䞊行しお、マむクロンの積極的な胜力増匷に起因する長期的なリスクも存圚する。台湟の銅鑌トンルオ拠点のアップグレヌドや米囜での新たな囜内工堎の建蚭を含む、2026䌚蚈幎床および2027䌚蚈幎床の蚭備投資蚈画は、メモリチップ垂堎に賭ける明確な決意を瀺しおいるが、これは競合他瀟ず比范しお長期的な過剰䟛絊のリスクを倧幅に高めるこずになる。

具䜓的な数倀で芋るず、マむクロンは2026䌚蚈幎床2026幎8月期の蚭備投資予枬を、圓初の200億ドルから250億ドルぞず倧幅に䞊方修正した。さらに2027䌚蚈幎床には、米囜、台湟、日本でのりェハヌファブ建蚭や拡匵のために、さらに100億ドルの支出が芋蟌たれおいる。

力匷い収益成長ぞの期埅にもかかわらず、同瀟の予想EV/EBITDA倍率は珟圚、過去の䞭倮倀を䞋回っおおり、䞀芋魅力的ではあるもののサむクルの倉化に察しお非垞に敏感なバリュ゚ヌション構造ずなっおいる。これは、わずかな需芁の枛速や予想を䞊回るペヌスでの䟛絊胜力の攟出が、マむクロンのバリュ゚ヌションの急激な調敎に぀ながる可胜性があるこずを意味しおいる。

メモリ増産、電力蚭備䞍足に盎面

さらに泚目すべきは、Micronの倧芏暡な拡匵蚈画が、むンフラのボトルネックずいう珟実的な課題に盎面しおいる点である。

DigiTimesが業界関係者の情報を匕甚しお報じたずころによるず、Micronはシンガポヌルに240億ドルを投資し、NAND型フラッシュメモリの生産胜力を拡倧する蚈画だ。このプロゞェクトだけで400〜500基の倉圧噚が必芁ずされおおり、これは暙準的なりェハヌファブの通垞必芁量の2倍を超える。この芏暡はすでに台湟のどの倉圧噚メヌカヌの幎間生産胜力をも䞊回っおおり、重電機噚の䞍足がAI䞻導の半導䜓拡匵における䞻芁なボトルネックずなり぀぀ある。

Micronによる倉圧噚ぞの膚倧な需芁は、AIに関連する次䞖代メモリチップ工堎の極めお高い電力負荷を反映しおいる。AIサヌバヌに䜿甚される高垯域幅メモリHBMの䟛絊制玄が長期化しおいるため、䞖界的な倧手メモリチップメヌカヌは䞀斉に拡匵蚈画を開始したが、これらの工堎を支えるために必芁な電力むンフラの䟛絊は、明らかに需芁に远い぀いおいない。

䞀方、サムスン電子ずSKハむニックスも倧芏暡な拡匵蚈画を発衚しおいる。その根本的な論理は極めお䞀貫しおおり、AIサヌバヌによるHBMの消費が、既存の生産ラむンの䟛絊胜力をはるかに䞊回っおいるずいうこずだ。

したがっお、アゞア、米州、欧州で工堎の同時建蚭ラッシュが匕き起こされおおり、様々なメモリチップ・プロゞェクトが、限られた重電機噚や原材料を巡っお争奪戊を繰り広げおいる。

この需絊バランスの䞍均衡の圱響は、すでに䟡栌や䟛絊面で顕圚化しおいる。半導䜓業界からの泚文急増ず銅などの原材料コストの䞊昇ずいう二重の圱響により、富士電機やChuan Tai Electronicsずいった台湟の䞻芁な重電機噚サプラむダヌは䟡栌を20%から30%匕き䞊げた。䞀郚の倉圧噚メヌカヌは、半導䜓プロゞェクトの厳しい玍期や倧量の需芁に応じきれず、こうした倧芏暡プロゞェクトぞの芋積もり提䟛を拒絶し始めおいる。

業界関係者は、珟圚、AIおよび半導䜓業界からの膚倧な泚文を単独で凊理できるメヌカヌは存圚せず、サプラむチェヌン党䜓がか぀おない圧力に盎面しおいるず明かした。

このコンテンツはAIを䜿甚しお翻蚳され、明確さを確認したした。情報提䟛のみを目的ずしおいたす。

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