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存儲股持續回調 希捷科技(STX)跌6.52% 閃迪(SNDK)跌9.91%

金吾財訊 | 存儲股持續回調,美光科技 (MU) 跌 4.19%,Rambus (RMBS) 跌 4.69%,慧榮科技 (SIMO) 跌 5.51%,西部數據 (WDC) 跌 6.33%,希捷科技 (STX) 跌 6.52%,閃迪 (SNDK) 跌 9.91%,消息面上,韓國總統李在明於本週一發佈總規模 800 萬億韓元(約合 5179 億美元)國家級 AI 產業建設規劃,政府將向中部忠清道投放 392 萬億韓元(約合 2525 億美元)專項資金,專項扶持三星電子、SK 海力士建設 HBM 晶圓廠、先進芯片封裝產線,該批項目爲國家級 Project Trinity 三位一體戰略的實體落地環節。SK 海力士公佈清州兩大存儲專項投資,合計投入 100 萬億韓元佈局 NAND 閃存與先進封裝產能。其中 80 萬億韓元用於在忠清北道清州市新建 M17 NAND 存儲晶圓廠,應對全球 AI 算力帶動的存儲供給缺口,項目明年啓動建設,2029 年完成投產;剩餘 20 萬億韓元建設全新芯片封裝工廠,2027 年底竣工。企業 CEO 郭魯正隨同總統出席活動時表示,清州現有成熟廠區連片佈局,土地、電力、供水等基礎配套完備,能夠快速推進項目施工,未來將此地打造爲全球下一代 NAND 閃存核心生產基地。SEMI在最新發布的《300mm晶圓廠展望報告》中指出,2026年全球300mm晶圓廠存儲領域設備投資預計首次突破500億美元,增長29%至520億美元,2027年再增11%至570億美元。受AI基礎設施、數據中心及下一代計算系統投資增加的支撐,這一增長反映了AI驅動對先進存儲的持續需求。展望未來,SEMI預計2024年至2029年全球300mm晶圓廠存儲領域設備投資將以19%的複合年增長率(CAGR)增長。全球300mm存儲產能也預計將持續增加,2026年將達到每月410萬片晶圓,2027年達到每月420萬片晶圓。
金吾財訊
21 分鐘前

美股科技股板塊走低 特斯拉(TSLA)跌6.69% 科技巨頭與半導體迎來調倉抉擇

金吾財訊 | 美股科技股板塊走低,英偉達 (NVDA) 跌 0.68%,阿里巴巴 (BABA) 跌 1.60%,阿斯麥 (ASML) 跌 1.83%,高通 (QCOM) 跌 2.52%,英特爾 (INTC) 跌 2.51%,思科 (CSCO) 跌 3.04%,美光科技 (MU) 跌 3.41%,Meta Platform (META) 跌 3.65%,美國超微公司 (AMD) 跌 4.00%,特斯拉 (TSLA) 跌 6.69%消息面上,當前資本市場產生核心交易分歧,此前市場普遍質疑科技七巨頭資本開支過高,現階段行業邏輯出現轉變,只要頭部科技企業落地 AI 基建對外售賣、業務降本提效、賦能廣告與雲業務增收,估值便具備修復空間。底層核心變化來自全球資金持倉結構,美銀 6 月全球基金經理調研數據顯示,80% 受訪投資者認爲做多全球半導體是當下最擁擠交易,創下調研歷史紀錄;僅有 12% 投資者認爲做多科技七巨頭存在交易擁擠問題。7 月初兩項資本市場事件,進一步放大科技股短期波動風險。7 月 7 日 SpaceX (SPCX) 納入納斯達克 100 指數,將催生 43 億美元被動指數買盤,跟蹤指數的基金需要減持原有成分股置換資金;7 月 10 日 SK 海力士 (000660.KR) 推進美國 ADR 上市,最高融資 294 億美元,簿記詢價工作 7 月 6 日啓動。兩項事件合計撬動千億級別市場調倉資金,SK 海力士登陸美股或將稀釋美光 (MU) 稀缺估值溢價,資金大概率從存儲相關 ETF、美股存儲標的分流。本次半導體板塊回調,源於高位籌碼集中離場,並非行業基本面徹底反轉。庫存數據顯示行業供需邊際改善,存儲賽道基本面韌性充足,TrendForce 預測三季度存儲芯片全線漲價,僅漲價斜率有所放緩。行業擴產存在產能週期滯後性,頭部廠商新增產能 2027 年後才集中釋放,短期不會扭轉供需格局,後續存儲板塊估值邏輯,將逐步從缺貨漲價,轉向長期供貨份額、產能投放紀律維度。
金吾財訊
28 分鐘前