美光科技因應AI伺服器及資料中心需求擴張,持續加碼台灣投資,計劃以18億美元收購力積電銅鑼廠,擴充HBM產能並建立後段製造專線。台灣因其成熟半導體供應鏈、高效率產能、較低製造成本及政府稅務優惠,成為美光DRAM卓越製造中心。儘管面臨關稅與地緣政治風險,美光深耕台灣30年的鉅額投資、人才及供應鏈網絡,使其難以轉向美國,且產能效率與市場競爭壓力使其無法錯失記憶體供應空窗期。此舉將鞏固台美半導體連結,並帶動台積電、日月光投控、欣興等台灣供應鏈廠商的成長。

TradingKey - 2026年以來,隨著AI伺服器、高頻寬運算與資料中心持續擴張,全球記憶體市場需求再度爆發,DRAM、NAND與HBM記憶體需求均飆升,價格水漲船高,科技龍頭資本支出逐漸復甦。美光(MU)作為受益者,年初至今(截至3月12日收盤)股價已上漲28%。
作為台灣最大的外資企業,美光近年來不斷擴大在台產業佈局,2024年至2025年先後收購友達台南廠、友達子公司友達晶材后里廠以及光燿台中廠,擴大HBM產能。今年年初,美光在台灣的投資進一步擴大,該公司計劃以18億美元價格收購力積電銅鑼廠,以滿足AI資料中心的HBM強勁需求。
隨著美光將台灣定位為DRAM卓越製造中心,逐漸將HBM生產重心轉移至台灣,台灣的半導體產業是否將受益於此?在2026年關稅餘波下,美光為何不撤資反而收購力積電廠房?本文深度剖析美光與台積電、力積電的戰略綑綁,並盤點受惠的台灣半導體供應鏈名單。
美光科技成立於1978年,主要業務是記憶體。值得注意的是,美光是半導體公司中為數不多能同時大规模生產DRAM、NAND Flash和NOR Flash三種主要記憶體技术的企業,但目前主要聚焦HBM3E與HBM4研發。
HBM指的是High Bandwidth Memory,即高頻寬記憶體。傳統的DRAM把記憶體晶片平鋪在印刷電路板上,而HBM則是把多層DRAM晶片垂直堆疊,可以提高傳輸效率,降低功耗,縮小體積。
美光於1994年開始在台灣營運,目前已在台投資超過31年,累計投資逾新台幣1兆元,是台灣最大外商投資者。
在全球範圍內,美光為全球第3大DRAM廠,市占率約25.7%,緊隨SK海力士(SK Hynix)和三星(Samsung)之後。在HBM市場,美光市佔率居於SK海力士之後,但遠低於其50%-60%的市佔率。
美光科技近期將台灣定位為全球DRAM卓越製造中心。2026年1月,美光宣布以18億美元(約569億新台幣)收購力積電(PSMC)位於苗栗銅鑼的P5晶圓廠,旨在快速擴充DRAM產能,並建立HBM後段製造專線。該交易預計2026年第2季完成交易,2027年下半年起開始顯著貢獻DRAM產能。
在此之前,早在今年1月末,美光總裁暨執行長Sanjay Mehrotra與賴清德會面時,就表達過擴大投資台灣的意願。
2026年2月,還有信息傳出美光有意競購群創(Innolux)南科五廠,透過「買廠改廠」模式縮短建廠周期,快速布建先進封裝產能。
截至目前,美光已在台完成2026全年的HBM供應協議,並計畫於2026年量產下一代HBM4。美光在台灣的產能已占其全球總產能6成以上,進一步鞏固台美半導體供應鏈的連結。
台灣半導體產業成熟,從研發到封測一應俱全,出於供應鏈協同的目的,許多晶片企業都選擇落戶台灣。
以美光為例,美光主要生產記憶體,記憶體的作用是儲存GPU計算時產生的數據,因此需要與台積電(TSM)進行協作。美光必須拿到台積電的封裝規格,據此設計記憶體,而台積電也必須確認美光的晶片厚度和散熱性能,才能進行AI晶片封裝。二者如果匹配不上,AI晶片就會報廢。
同樣,美光還需要對大客戶輝達的要求負責,輝達(NVDA)的GPU需要什麼規格的記憶體(比如HBM3E或者HBM4),美光就需要按此要求設計生產。美光還需要與下游的廣達、緯創、鴻海等伺服器組裝公司協同,比如根據記憶體的散熱或體積問題進行調整。
可以說,整個台灣就是一個大型晶片工廠,只要在台灣設廠,無論是生產設計的哪一個環節出問題,都可以就地解決,大大降低了時間成本。
美光不僅今年以來收購了力積電的晶圓廠,過往的產能擴大很多都是通過收購進行的。主要原因是台灣半導體產業成熟,具備完備的園區公共基礎設施以及配套的人才隊伍。
在2013年,美光完成了該公司史上最重要的一次收購,以約25億美元(約750億新台幣)收購了當時日本唯一的DRAM大廠爾必達(Elpida),包括該公司在台灣與力晶合資的瑞晶(現美光台中廠)產能。這次併購使得美光全球市佔率躍居第二,僅次於三星。
2016年,美光通過收購華亞科提升了DRAM總產能,使得該公司的台灣產能占比達到6成以上,這不僅確立了台灣作為全球DRAM製造中心的地位,也確立了美國研發、台灣量產的格局。
之所以採取這樣的發展路徑,是因為晶圓廠自建全流程至少需2-3年,而收購最快僅需半年,更能快速填補記憶體產能缺口。另外,現有廠房還具有基礎設施和人才優勢,不需要重新部署。
儘管在關稅背景下,台灣依然存在地緣政治風險,但整體來說,台灣製造DRAM的成本仍低於美國本土。其中一方面原因是台灣政府出台的《產創條例》10-2 條(台版晶片法案)對半導體產業有租稅優惠,以及行政上對水、電、土地有專案協助,這也是美光持續加碼投資的原因之一。
2025年8月,美光突然宣佈了中國區裁員的信息,主要對象是負責行動端產品研發、支持的嵌入式團隊、測試及應用工程(FAE/AE)部門。美光表示,主要原因是中國區承載較多行動端產品的工作,而行動NAND產品長期疲軟。另外,美光未通過中國網路安全審查,中國大陸的關鍵資訊基礎設施業者被要求停止採購美光產品,美光在中國市場的伺服器晶片業務受到打擊。
整體而言,美光近年來逐步收縮中國大陸的核心DRAM設計團隊,而加大對封裝與測試的投入,這也與美光在地緣政治風險方面的考慮有關。
隨著美光逐步退出中國伺服器市場,該公司的產業分佈在地理上向台灣、日本及美國集中,以台灣為DRAM核心,並向日本拓展,以美國為研發基石。在產品上,美光放棄低端產業,全面擁抱AI市場的需求,加大對HBM4及AI伺服器記憶體的投入。
目前,美光台灣地區的DRAM產能占其全球產能的60%以上,台灣廠區負責最尖端的製程,如1β、1γ等。美光在廣島設廠,預計2028年量產使用EUV(極紫外光)技術的HBM記憶體。美光正利用美國《晶片法案》補貼,在本土開啟大規模自建計畫。
美光以台灣為DRAM核心、以新加坡為NAND核心、以美國為研發基石,印度與中國為封測後盾,由此構建起全球產業版圖。
2025年4月,特朗普首次祭出關稅武器,甚至一度威脅對台征收高達100%的晶片進口關稅,以強迫半導體製造回流美國,當時市場對半導體行業「去台化」的擔憂到達頂峰。
在2026年的當下,隨著台美談判的落地,美國對台亮出以投資換免稅的配額制度。根據雙方達成的協議,在美設廠的台灣晶片廠商,在建設期間可免稅向美國進口最多為其擬建產能2.5倍的晶片與晶圓;當工廠正式投產後,免稅進口配額調整為美國工廠總產能的1.5倍。超出上述配額的進口晶片,則將適用較低的優惠稅率。
在此背景下,美光是否依然面臨著退出台灣轉向美國的風險?
鑒於美光已經扎根台灣30年,投資1.2兆新台幣,這一部分沈沒成本很難被美國《晶片法案》補貼帶來的蠅頭小利所覆蓋。美光在台灣的佈局,光是核心廠區就有4個,涉及員工超萬人,覆蓋其全球超過60%的產能。美光考慮撤出台灣,不僅需要計算在台資產的規模,更需要考慮其在台形成的成熟供應鏈是否有望重建。想重建這一生態,達到目前不出台灣就可完成晶片從設計到落地的全流程,不僅需要時間成本,還需要與供應鏈的上下遊廠商重新達成平衡。
美光想維持良率與毛利的優勢,就無法離開台灣,這與台灣半導體產業的密集分佈及美光在台的豐厚資產有關。首先,台灣半導體產業鏈的物理距離極短,溝通成本、物流成本和打通上下遊的難度幾乎可以忽略不計;其次,由於產業分佈密集、設施完善,美光對台湾廠區的收购和建設都大大降低了時間成本,先於競爭對手搶佔半導體週期。同時,美光在台灣享有低成本且穩定的人才優勢。
即使美光在台灣的生態有望在美國重建,但撤離台灣、返回美國需要的時間成本並不是美光能承受的。只要產程落後,美光在先進製程上的優勢就會被競爭對手超越,從而失去市佔率。當下AI晶片需求劇增,HBM晶片需求被同步帶動,美光目前面臨與三星、SK海力士的激烈競爭,因此任何空窗期都不可能被錯過。
儘管在關稅餘波之下,面對未來地緣政治風險的不確定,美光依然選擇在2026年初擴大對台灣的投資,在台灣佈局先進的1γ製程,已證明美光與台灣的更深度綁定。這增加了美光撤離台灣的沈沒成本,是短期內不可能從台灣「跑路」的另一個現實理由。
本次以18億美元對力積電銅鑼晶圓廠的收購與往日不同,是為了將其改造成HBM後段先進封裝與專屬前段產線,從而實現最先進的HBM晶片產能的翻倍。
儘管在美建廠可享《晶片法案》的補貼,但鑒於美國工廠的量產進度和營運成本,美光在美設廠的盈利難度大大高於台灣。一個值得注意的問題是,《晶片法案》通常要求大型建設必須簽署專案勞工協議,即Project Labor Agreements,PLA,該協議要求優先聘用工會成員,排擠了非工會的承裝商。而這會使得用人問題更加嚴峻:美光先前在紐約州和愛達荷州的超級晶圓廠建設,都因與工會談判而拖延進度。此外,相比台灣,美國本土不僅用人成本高,甚至「無人可用」:美國工會對分工極其嚴格,具備無塵室建設經驗的熟練工嚴重短缺。
隨著美光進一步將重心轉向台灣,台灣的半導體產業集成優勢會更突出。美光將最先進的1γ製程部署在台灣研發並量產,將保證台灣在半導體行業的領先地位。
此外,對本土供應鏈上的廠商來說,美光需求的爆發會帶來增長機會,同時帶來走向國際市場的機會,打造台美半導體生態。
類別 | 廠商 |
戰略夥伴 | 台積電(2330)、力機電(6770) |
封測代工 | 日月光投控(3711)、力成(6239) |
載板基板供應 | 欣興(3037)、南電(8046)、景碩(3189) |
廠務與材料供應 | 聖暉(5536)、亞翔(6139)、中砂(1560) |
同業競爭對手 | 南亞科(2408)、華邦電(2344)、創見(2451)、宇瞻(8271) |
力機電(6770):在2026年將銅鑼P5廠出售給美光,獲得美光先進DRAM技術授權,並轉型為專業的AI晶片代工廠,將為美光設置專線提供HBM後段晶圓製造(PWF)代工服務。這一轉型使得力積電從美光的競爭者變成了特約晶圓供應商,可以說是抱緊了美光的「大腿」。
台積電(2330):作為全球唯一的AI晶片代工核心,美光在台擴產HBM,必須與台積電的CoWoS技術緊密配合,因此會受益於美光HBM產能的擴張。美光HBM市佔率越高,台積電的先進封裝產能利用率就越穩。
封測代工:日月光投控(3711)和力成(6239)是記憶體封測龍頭,長期承接美光記憶體封測外包訂單,也會受益於美光訂單的增加。
基板與載板供應商:欣興(3037)、南電(8046)、景碩(3189)都為美光供應HBM基板或載板,其中欣興和美光簽訂3年供應合約,都將受益於美光的擴張。
廠務工程與設備供應商:聖暉(5536)、亞翔(6139)是本地廠務供應商,會受益於美光台中與銅鑼廠區的無塵室與機電工程需求;中砂(1560)提供美光生產過程所需的高純度矽零件。
南亞科(2408)是台灣第二大DRAM晶粒廠,但不同於聚焦AI晶片市場的美光,其主要業務是普通DDR4/DDR5記憶體製造,美光因轉型高端晶片而放棄低端市場,這一缺口有利於南亞科接單。
華邦電(2344)專注於利基型DRAM與Flash,創見(2451)、宇瞻(8271)則深耕工業級與消費級模組。美光退出低端市場同樣為這些公司留下了市場空間。