美光Q2財報表現亮眼 盤後為何反跌5%？市場是否過度悲觀？記憶體週期到頭了嗎

TradingKey - 美東時間 3 月 18 日（週三），美光（MU）披露了大幅超預期的財報與財測，然而盤後股價卻一度下跌 6%。

2026 財年第二財季，美光季度銷售額增長近三倍，達到 239 億美元。每股收益攀升至 12.20 美元，大超分析師預期。彭博社數據顯示，分析師此前平均預期營收為 197 億美元，每股收益為 9 美元。

然而，美光同時披露本財年資本支出將超過 250 億美元，並預告 2027 財年支出將在此基礎上再增超過 100 億美元。分析認為，此次下跌體現了市場對美光資本開支過高的擔憂。

產能之爭面前 美光沒有退路

執行長 Sanjay Mehrotra 表示，2027 財年資本支出中，與建築相關的成本將增加超過 100 億美元。

美光正在愛達荷州和紐約州建設兩座巨型新製造廠，以提高其在美國的記憶體產能，愛達荷州工廠預計將於 2027 年中期開始投產，紐約的工廠預計將於 2028 年下半年開始生產晶圓。

不只是美光，其競爭對手三星和 SK 海力士也在擴大產能。三星目前在建的有平澤 P4 廠、P5 廠以及在美國德州的泰勒廠。SK 海力士在建的有清州 M15X 廠、龍仁半導體集群，利川總部的 M16 工廠也在進行產能升級。

目前，美光的 HBM 產能僅為三星的三分之一，且截至 2026 年底的產能均已售罄。如不擴張產能，就無法擴大訂單量，從而搶佔市場。對市場份額最低的美光來說，沒有保持現狀的選項，在產能競爭中，不擴張就等於把未來的訂單拱手讓給對手。

市場擔憂：折舊壓力 產能過剩

儘管如此，產能擴大帶來的超預期的資本支出仍有令人擔憂的一面：未來是否會壓制美光的毛利率和自由現金流？美光產能規模大幅低於三星er SK 海力士，其固定資產的折舊費用平攤至每個晶片上的成本更高，對毛利率的影響更大。

尤其是半導體作為週期性行業，總有一天會面臨市場需求下降的問題。美光目前興建的晶圓廠，未來都會成為資產負債表上沈重的固定資產折舊。不僅如此，相比在本地建廠的三星和 SK 海力士，美光在美國建廠的代價更高昂。

更嚴重的問題是，從全行業來看，歷史上的每一次記憶體價格暴跌都是因為產能過剩，而本次三星、SK 海力士和美光的新廠投產時間高度重合，幾乎都集中在 2027 年左右。

當然，更樂觀的想法是，目前由 AI 基建需求主導的記憶體需求，規模會更大，持續時間也更長，且迭代更新的節奏更快，這一次擴產勢必不會導致供需失衡的結局，這三大巨頭紛紛加碼投資，正是基於對這一預期的確信。

HBM 爭霸賽：美光如何匹敵三星 SK 海力士？

聚焦於更近的未來，市場更擔心的是美光在與三星和 SK 海力士的競爭中落後。美光近期宣布 HBM4 已於 2026 年第一季進入量產階段，打破了此前被排除在輝達（NVDA）Vera Rubin 供應鏈之外的傳言。上月，財務長 Mark Murphy 表示公司已實現 HBM4 大規模量產後，股價一度大幅上漲。

然而，輝達會在多大程度上依賴美光的 HBM4 供應卻是個問題。目前，輝達的 HBM4 供應商還包括 SK 海力士和三星，前者由於與輝達、台積電（TSM）長期合作、深度綁定，已經穩坐輝達首席供應商的交椅，且最先通過輝達的驗證，先前有傳聞稱其拿下輝達 HBM 供應訂單的 70%。

輝達對 Vera Rubin 產品線記憶體的採購決策，會直接影響，甚至決定美光的 HBM 市場份額；若輝達轉向其競爭對手，美光將大受打擊。

但從輝達的角度來講，之所以在供應鏈中同時引入 HBM 三大巨頭，正是為了平抑 SK 海力士「一家獨大」的趨勢，打破其壟斷溢價，從而獲得議價權。此前，有行業傳聞稱，輝達派遣工程團隊駐紮美光，進行即時錯誤調試，從而更快通過產品驗證。在輝達急需 HBM 晶片的情況下，美光產品既有功耗控制優勢，又能抑制競爭對手的溢價，輝達是絕不可能拋棄美光，轉向其對手的。

今年以來，美光股價已累計上漲 62%，是費城半導體指數中表現最佳的成份股，更是美國市值最大的十家科技公司中唯一年內錄得漲幅的企業。美光此次下跌也有投資者獲利了結的原因。

但從基本面情況來看，美光 Q2 毛利率高達 74.4%，意味著該公司有強大的獲利修復能力，在 HBM 供不應求、訂單已排至 2027 年的當下，美光最大的問題並不是缺訂單，而是缺產能。在 AI 基建需求持續高漲的情況下，美光現在投資百億擴大的產能，未來只會帶來更多真金白銀。