美光科技2026财年第二财季营收与每股收益远超预期,但盘后股价下跌6%,主要因其宣布2026财年资本支出超250亿美元,并预计2027财年进一步增加超100亿美元。此举旨在扩大HBM产能以应对竞争,尤其是在AI需求驱动下。市场担忧高昂的资本开支将带来折旧压力和产能过剩风险,尤其是在存储行业周期性波动的背景下。尽管美光面临与三星、SK海力士在HBM领域的激烈竞争,且其HBM产能尚不及三星,但公司已开始HBM4量产,且英伟达引入多家供应商旨在制衡垄断。美光股价今年已大幅上涨,此次下跌亦有获利了结因素,但其高毛利率和HBM订单需求强劲表明公司盈利能力修复,产能扩张有望带来未来收益。

TradingKey - 美东时间3月18日(周三),美光(MU)披露了大幅超预期的财报与财测,然而盘后股价却一度下跌6%。
2026财年第二财季,美光季度销售额增长近三倍,达到239亿美元。每股收益攀升至12.20美元,大超分析师预期。彭博社数据显示,分析师此前平均预期营收为197亿美元,每股收益为9美元。
然而,美光同时披露本财年资本支出将超过250亿美元,并预告2027财年支出将在此基础上再增超过100亿美元。分析认为,此次下跌体现了市场对美光资本开支过高的担忧。
首席执行官Sanjay Mehrotra表示,2027财年资本支出中,与建筑相关的成本将增加超过100亿美元。
美光正在爱达荷州和纽约州建设两座巨型新制造厂,以提高其在美国的存储产能,爱达荷州工厂预计将于2027年中期开始投产,纽约的工厂预计将于2028年下半年开始生产晶圆。
不只是美光,其竞争对手三星和SK海力士也在扩大产能。三星目前在建的有平泽P4厂、P5厂以及在美国德州的泰勒厂。SK海力士在建的有清州M15X厂、龙仁半导体集群,利川总部的M16工厂也在进行产能升级。
目前,美光的HBM产能仅为三星的三分之一,且截至2026年底的产能均已售罄。如不扩张产能,就无法扩大订单量,从而抢占市场。对市场份额最低的美光来说,没有保持现状的选项,在产能竞争中,不扩张就等同于把未来的订单拱手让给对手。
尽管如此,产能扩大带来的超预期的资本支出仍有令人担忧的一面:未来是否会压制美光的毛利率和自由现金流?美光产能规模大幅低于三星和SK海力士,其固定资产的折旧费用平摊至每个芯片上的成本更高,对毛利率的影响更大。
尤其是半导体作为周期性行业,总有一天会面临市场需求下降的问题。美光目前兴建的晶圆厂,未来都会成为资产负债表上沉重的固定资产折旧。不仅如此,相比在本地建厂的三星和SK海力士,美光在美国建厂的代价更高昂。
更严重的问题是,从全行业来看,历史上的每一次存储价格暴跌都是因为产能过剩,而本次三星、SK海力士和美光的新厂投产时间高度重合,几乎都集中在2027年左右。
当然,更乐观的想法是,目前由AI基建需求主导的内存需求,规模会更大,持续时间也更长,且迭代更新的节奏更快,这一次扩产势必不会导致供需失衡的结局,这三大巨头纷纷加码投资,正是基于对这一预期的确信。
聚焦于更近的未来,市场更担心的是美光在与三星和SK海力士的竞争中落后。美光近期宣布HBM4已于2026年第一季度进入量产阶段,打破了此前被排除在英伟达(NVDA)Vera Rubin供应链之外的传言。上月,首席财务官Mark Murphy表示公司已实现HBM4大规模量产后,股价一度大幅上涨。
然而,英伟达会在多大程度上依赖美光的HBM4供应却是个问题。目前,英伟达的HBM4供应商还包括SK海力士和三星,前者由于与英伟达、台积电(TSM)长期合作、深度绑定,已经稳坐英伟达首席供应商的交椅,且最先通过英伟达的验证,先前有传闻称其拿下英伟达HBM供应订单的70%。
英伟达对Vera Rubin产品线存储的采购决策,会直接影响,乃至于决定美光的HBM市场份额;若英伟达转向其竞争对手,美光将大受打击。
但从英伟达的角度来讲,之所以在供应链中同时引入HBM三大巨头,正是为了平抑SK海力士“一家独大”的趋势,打破其垄断溢价,从而获得议价权。此前,有行业传闻称,英伟达派遣工程团队驻扎美光,进行实时错误调试,从而更快通过产品验证。在英伟达急需HBM芯片的情况下,美光产品既有功耗控制优势,又能抑制竞争对手的溢价,英伟达是绝不可能抛弃美光,转向其对手的。
今年以来,美光股价已累计上涨62%,是费城半导体指数中表现最佳的成分股,还是成为美国市值最大的十家科技公司中唯一年内录得涨幅的企业。美光此次下跌也有投资者获利止盈的原因。
但从基本面情况来看,美光Q2毛利率高达74.4%,意味着该公司有强大的盈利修复能力,在HBM供不应求、订单已排至2027年的当下,美光最大的问题并不是缺订单,而是缺产能。在AI基建需求持续高涨的情况下,美光现在投资百亿扩大的产能,未来只会带来更多真金白银。