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Everspin Technologies Inc

MRAM
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7.950USD

-0.170-2.09%
收盤 09/19, 16:00美東報價延遲15分鐘
179.44M總市值
108.82本益比TTM

Everspin Technologies Inc

7.950

-0.170-2.09%
盤中分時
1分
30分
1小時
日k
週k
月k
日k

今天

-2.09%

5天

+17.08%

1月

+33.17%

6月

+48.32%

今年開始到現在

+24.41%

1年

+32.94%

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TradingKey 股票評分

單位: USD 更新時間: 2025-09-19

操作建議

目前公司基本面數據相對非常健康,公司估值合理,機構認同度非常高,近一個月多位分析師給出公司評級為買入。公司市場表現非常差,但公司基本面和技術面得分較高。目前股價在壓力位和支撐位之間,可以做區間波段操作。

整體評分

相關信息

行業排名
42 / 98
全市場排名
134 / 4720
所屬行業
半導體與設備

壓力支撐

暫無數據

多維評測

本期評分
上期評分

分析師目標

基於 2 分析師
買入
評級
8.500
目標均價
+4.68%
漲幅空間
數據免責聲明:分析師評級與目標價由LSEG提供,僅供參考,不應當作投資建議

公司亮點

亮點風險
Everspin Technologies, Inc. 致力於提供磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 解決方案。該公司的 MRAM 解決方案提供具有隨機存取存儲器 (RAM) 速度和耐用性的非易失性存儲器,並能夠保護關鍵任務數據,尤其是在電源中斷或故障的情況下。其 MRAM 技術組合包括 Toggle MRAM 和自旋轉移力矩 MRAM (STT-MRAM)。Toggle MRAM 產品包括行業標準接口,包括並行、串行外設接口 (SPI) 和四路 SPI (QSPI) 接口。其 STT-MRAM 技術可在動態隨機存取存儲器 (DRAM)、SRAM 和 NOR 閃存應用中提供產品。該公司提供帶有 DDR3 和 DDR4 衍生接口的產品,便於用 STT-MRAM 替換電池供電的 DRAM。其 3D 隧道磁阻 (TMR) 傳感器在單個組件中提供高磁靈敏度,可在單片解決方案中執行 3D 磁場測量。
業績增長期
公司處於發展階段,最新年度總收入50.40M美元
估值合理
公司最新PB估值2.80,處於3年歷史合理位
機構減倉
最新機構持股15.77M股,環比減少14.50%
先鋒集團持倉
明星投資者先鋒集團持倉,最新持倉908.40K股
活躍度降低
近期活躍度降低,過去20天平均換手率-0.42

新聞

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財務指標

每股收益

暫無數據

營業總收入

暫無數據

公司

Everspin Technologies, Inc. 致力於提供磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 解決方案。該公司的 MRAM 解決方案提供具有隨機存取存儲器 (RAM) 速度和耐用性的非易失性存儲器,並能夠保護關鍵任務數據,尤其是在電源中斷或故障的情況下。其 MRAM 技術組合包括 Toggle MRAM 和自旋轉移力矩 MRAM (STT-MRAM)。Toggle MRAM 產品包括行業標準接口,包括並行、串行外設接口 (SPI) 和四路 SPI (QSPI) 接口。其 STT-MRAM 技術可在動態隨機存取存儲器 (DRAM)、SRAM 和 NOR 閃存應用中提供產品。該公司提供帶有 DDR3 和 DDR4 衍生接口的產品,便於用 STT-MRAM 替換電池供電的 DRAM。其 3D 隧道磁阻 (TMR) 傳感器在單個組件中提供高磁靈敏度,可在單片解決方案中執行 3D 磁場測量。
公司代碼MRAM
公司Everspin Technologies Inc
CEODr. Sanjeev Aggarwal, Ph.D.
網址https://www.everspin.com/
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