黃仁勳霸氣喊話：DRAM 廠儘管擴產，輝達全包了！

TradingKey - 輝達（NVDA）執行長黃仁勳近期在摩根士丹利科技大會上，向全球記憶體晶片廠商釋放了極具衝擊力的信號：儘管放心擴產，輝達照單全收。

當與會者普遍將記憶體、晶圓、封裝、電力等資源限制視為 AI 行業發展瓶頸時，黃仁勳卻語出驚人，直言晶片供給短缺對輝達而言是「極好的消息」。

黃仁勳在會上闡述了他對資源限制的獨特邏輯，在數據中心土地、電力、空間等各類資源均受限的環境下，客戶採購決策會更審慎，不會隨意試錯，而是傾向於一步到位選擇性能最強的方案。

而憑藉充沛的資金與規模優勢，輝達能在全產業鏈鎖定大量供應，自然成為這一趨勢的最大受益者。他甚至霸氣喊話 DRAM 廠商：「儘管去建記憶體廠，你們擴增多少產能，輝達就會用掉多少。」

為了讓外界理解這種「反常識」邏輯，黃仁勳強調自己「熱愛限制」。

他解釋，資源緊張時客戶必須精準選擇能提供最高「每瓦 Token 產出率」的硬體，而輝達是目前全球唯一能為客戶從零搭建整座「AI 工廠」的企業，這種端到端服務能力讓競爭對手難以企及。

目前輝達已鎖定大規模部署「AI 工廠」所需的記憶體、晶圓、CoWoS 封裝等關鍵組件，即便 DRAM 價格上漲，也不會縮減備貨力度，這為三星、SK 海力士、美光等廠商提供了明確的需求預期。

黃仁勳這番表態的背後，是輝達新一代 AI 平台對儲存資源的龐大需求。現有 GB300 晶片支援的高頻寬記憶體（HBM）容量已達 288GB，較上一代 GB200 的 192GB 大幅提升。

即將推出的 Vera Rubin 平台雖維持 288GB 容量，但將從 HBM3E 升級至 HBM4 規格。

HBM4 採用 16 層堆疊設計，較 HBM3E 的 12 層堆疊工藝更複雜，產能耗損率更高，單位產出消耗的儲存資源將更為龐大。

與此同時，輝達下一代 AI 加速器 Vera Rubin 的高頻寬記憶體（HBM4）供應格局已逐步清晰，三星電子與 SK 海力士雙雙入圍核心供應商名單。

據報導，兩家韓國記憶體巨頭已納入 Vera Rubin 的零組件供應體系；由於 HBM4 從晶圓到封裝的生產週期超 6 個月，兩家公司最快本月啟動量產，

從供應份額分配來看，2026 年 SK 海力士將拿下輝達超過一半的 HBM 總採購量（涵蓋 HBM3E 及 HBM4 產品），而三星則有望獨攬 Vera Rubin 專屬 HBM4 的大部分訂單。

行業預測數據顯示，SK 海力士仍將以 50% 的全球 HBM 位元產能份額位居行業第一，但較 2025 年的 59% 有所回落；三星的全球份額則從 20% 提升至 28%，追趕勢頭顯著。