SK海力士利潤率超台積電！美光卻因自主設計痛失輝達訂單 HBM領域是否要變天？

TradingKey - 近期，多份研報均指出 HBM 市場供應結構的變化：美光（MU）因技術路線選擇失誤，已被英偉達（NVDA）排除在供應鏈之外，而競爭對手 SK 海力士與三星電子則將包攬全部市場份額。

同時，SK 海力士最新財報顯示，其第四季度營業利益率達到 58%，超過晶圓代工霸主台積電（TSM）。

曾在 HBM3 時代掉隊的三星已經回歸主場，而一度領先的美光卻無緣英偉達訂單。HBM 領域是否將重新洗牌？

HBM 需求爆表 SK 海力士實現先發優勢

SK 海力士 Q4 財報顯示，季度營業利益年增超過一倍，達到創紀錄的 19.2 兆韓元（135 億美元），並帶動 2025 年全年的營收、營業利益及淨利均創歷史新高。這份財報不僅使得 SK 海力士超越自己，也戰勝了對手：58.4% 營業利益率超過同期台積電 54% 的水平，年度營業利益則超越三星。

分析認為，創紀錄的業績主要來自 HBM（高頻寬記憶體）的貢獻，HBM 全年營收年增超過 2 倍。

2025 年以來，AI 需求的增長帶動高效能記憶體的需求激增。由於 SK 海力士早在 2024 年 9 月成為業界首家量產 HBM4 的企業，且是業界唯一能夠同時穩定供應 HBM3E 和 HBM4 的企業，該公司在 HBM 領域有極強的議價能力，這是其 HBM 營收大幅增長的直接原因。

另外，2025 年下半年以來，記憶體晶片進入了新一輪多頭週期，晶片的平均售價和出貨量都大幅增長，傳統記憶體晶片 DRAM 第四季度的平均售價季增約 25%，NAND 快閃記憶體上漲超過 30%，均拉高了 SK 海力士的利潤率。

韓廠壟斷英偉達供應 美光錯失良機

目前，SK 海力士已經拿下全球超過一半的 HBM 份額，壓過三星、美光等長期對手，並成為了英偉達的主要供應方。此外，SK 海力士還進入了微軟（MSFT）的自研 AI 晶片供應鏈，顯示出其強勢地位。

有消息人士透露，在英偉達 Rubin 平台的 HBM4 供應配置上， SK 海力士將佔據 70% 的核心份額，三星則已獲得 20%-30% 的初始訂單。

從技術上來看，SK 海力士的 HBM4 樣品已達到穩定 10Gbps 傳輸速率，三星透過自研的 1c DRAM 與 4 奈米邏輯晶片整合技術，成功突破 11.7Gbps 的速率壁壘。二者都顯著高於美光目前技術水準。

有供應鏈信息稱，美光的 HBM4 基礎晶片（Base Die）散熱性能不達標，且引腳速率未達 11Gbps 標準，這是因為該公司沒有像競爭對手一樣尋求台積電的邏輯晶片代工，而是選擇苦研技術。目前，英偉達的 Vera Rubin 晶片已進入生產階段，供應鏈認證流程在 2026 年 1 月基本完成，美光已錯失今年最後的時間窗口。

HBM 不再三足鼎立？ 2026 年市場已變天

SK 海力士靠著率先量產 HBM4 的先發優勢，不僅在市場份額和利潤率上領先競爭對手美光和三星，獲利表現甚至優於代工之王台積電，換而言之，分走了原屬於台積電先進晶片製程的高溢價。這顯示出當下是晶片的時代，但更是 HBM 晶片的時代。

與普通晶片不同，HBM 技術複雜、良率低，因此擁有更高的門檻和議價權。其中，SK 海力士作為該領域的佼佼者，掌握了掌控整體封裝和核心記憶體顆粒，成為了英偉達 HBM 晶片最核心的供應商，因此享有更高的溢價。

儘管美光和三星暫時落後，但這一局面會持續多久尚未可知，這兩家公司依然是 SK 海力士最強勁的對手。

三星的最大競爭力在於它不僅能提供 HBM4 製程技術，還能自產記憶體顆粒、製造底座並完成封裝，壓低製造成本實現價格優勢，這種協同效應是海力士和美光無法模仿的。此外，三星在過去幾年的技術突破也不容小覷，在 2024 年，三星的 HBM3 和 HBM3E 晶片還未能通過英偉達的技術認證，但在 2026 年已經拿下英偉達 20%-30% 的訂單份額。

目前，美光計劃與台積電合作，預計在 Q2 實現 HBM4 產能的爆發，分析認為其最早可能在 Q2 再次嘗試通過英偉達的認證測試。美光的 HBM4 樣品引腳速率已超過 11Gbps，而功耗控制則一直是該公司的傳統優勢。若能順利通過英偉達驗證，美光仍可能在 2026 年下半年到 2027 年的晶片週期大放異彩。