【券商聚焦】花旗调高美光科技(MU)目标价至1200美元 存储芯片价格涨势料延续至2027年

金吾财讯 | 花旗于2026年6月17日发布研报，覆盖美光科技（Micron Technology，MU.O），维持“买入”评级，将目标价由此前的840美元大幅上调至1200美元。此次调整基于年初至今存储芯片价格优于预期的表现，新目标价对应2027年预估每股收益的10倍市盈率，潜在总回报率约17.6%。花旗认为，数据中心强劲需求与供给受限的格局将持续推动产品均价上行。

花旗同步上调了美光的盈利预测。将2026财年第三季度营收及每股收益预估上调6%，第四季度上调5%，全年每股收益预测由58.46美元调升至60.73美元，小幅高于市场一致预期的59.67美元。对于2027财年，花旗将每股收益预测由104.56美元大幅上调10%至114.73美元，较市场共识的110.32美元高出4%。上调主因是对产品均价，尤其是高带宽内存（HBM）价格前景的乐观预期。

在核心产品价格驱动力方面，花旗全球存储团队预计，受数据中心加速增长的代币处理需求与有限供给共同作用，2026年DRAM平均售价将上涨200%。分季度看，预计第二、三、四季度DRAM均价将分别环比上涨37%、13%和11%。NAND闪存方面，同样受强劲需求与温和供给增长推动，全年均价预计上涨186%，第二、三、四季度环比涨幅分别为45%、17%和6%。花旗特别指出，DRAM现货价格自4月初以来已上涨22%，且当前现货价较合约价高出21%，预示合约价格仍有上行空间。

供需分析方面，花旗预计2026年全球DRAM市场将面临5%的供给缺口，且此轮上升周期有望延续至2027年，HBM明年定价将继续走高。今年的涨价动力主要来自大宗或非HBM DRAM的供需失衡。研报提及，部分厂商如美光2026年的DRAM位元产出增长率预计可达42%。此外，由于DRAM供给有限，英伟达Vera Rubin平台出现DRAM降规使用的情况，这可能加速配套的NAND解决方案（如KV缓存卸载）的采用，对纯NAND厂商和半导体设备商构成利好。