Die Fundamentaldaten des Unternehmens sind relativ sehr gesund. Seine Bewertung wird als angemessen bewertet angesehen,und die institutionelle Anerkennung ist sehr hoch. In den letzten 30 Tagen haben mehrere Analysten die Aktie mit einer Kaufen bewertet. Trotz einer sehr schwachen Marktentwicklung zeigt das Unternehmen starke Fundamentaldaten und technische Indikatoren. Der Aktienkurs bewegt sich seitwärts zwischen den Unterstützungs- und Widerstandsniveaus, was ihn für schwankungsorientiertes Trading geeignet macht.
Aktienbewertung
Zugehörige Informationen
Branchenrang
42 / 98
Gesamtwertung
134 / 4720
Branche
Halbleiter & Halbleiterausrüstung
Widerstand & Unterstützung
Keine Daten
Radar Chart
Aktueller Preis
Vorher
Analysten-Ziel
Basierend auf insgesamt
2
Analysten
Kaufen
Aktuelles Rating
8.500
Kursziel
+4.68%
Aufwärtspotenzial
Hinweis: Analystenbewertungen und Kursziele werden von LSEG ausschließlich zu Informationszwecken bereitgestellt und stellen keine Anlageberatung dar.
Unternehmens-Highlights
HöhepunkteRisiko
Everspin Technologies, Inc. is engaged in providing magneto resistive random-access memory (MRAM) solutions. The Company's MRAM solutions offer non-volatile memory with the speed and endurance of random-access memory (RAM) and enable the protection of mission-critical data, particularly in the event of a power interruption or failure. Its portfolio of MRAM technologies includes Toggle MRAM and Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Toggle MRAM products include industry standard interfaces, including Parallel, Serial Peripheral Interface (SPI) and Quad SPI (QSPI) interfaces. Its STT-MRAM technology delivers products in dynamic random-access memory (DRAM), SRAM and NOR Flash applications. It offers its products with DDR3 and DDR4 derivative interfaces, facilitating the replacement of battery-backed DRAM with STT-MRAM. Its 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) sensors provide high magnetic sensitivity in a single component that performs 3D magnetic field measurements in a monolithic solution.
Everspin Technologies, Inc. is engaged in providing magneto resistive random-access memory (MRAM) solutions. The Company's MRAM solutions offer non-volatile memory with the speed and endurance of random-access memory (RAM) and enable the protection of mission-critical data, particularly in the event of a power interruption or failure. Its portfolio of MRAM technologies includes Toggle MRAM and Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Toggle MRAM products include industry standard interfaces, including Parallel, Serial Peripheral Interface (SPI) and Quad SPI (QSPI) interfaces. Its STT-MRAM technology delivers products in dynamic random-access memory (DRAM), SRAM and NOR Flash applications. It offers its products with DDR3 and DDR4 derivative interfaces, facilitating the replacement of battery-backed DRAM with STT-MRAM. Its 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) sensors provide high magnetic sensitivity in a single component that performs 3D magnetic field measurements in a monolithic solution.