三星公佈首批2納米芯片性能數據 加速追趕臺積電(TSM)

金吾財訊 | 據媒體報道，三星電子公佈了其即將推出的2nm芯片工藝的首批性能數據，標誌着該公司將更加積極地推進下一代晶圓代工製造，以縮小與臺積電的差距。三星宣佈，其首代2nm工藝採用了全柵極環繞（GAA）晶體管技術，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。這是三星首次發佈2nm的具體規格，此前僅出現概念性描述。臺積電目前掌控全球晶圓代工市場超過70%的份額，而三星約爲7%。大多數分析師預計，由於臺積電產量高、生產穩定、以及AI加速器和數據中心芯片需求不斷增長，其領先地位將持續。然而，韓國業內人士表示，從2nm節點開始，競爭可能會加劇。