英諾賽科(02577.HK)與意法半導體簽署氮化鎵技術聯合開發協議

【財華社訊】英諾賽科(02577.HK)公佈，與意法半導體(公司的獨立第三方)簽署一項基於氮化鎵功率技術開發與製造的聯合開發協議，旨在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車及工業電源系統等領域的應用。

根據聯合開發協議，英諾賽科可使用意法半導體在中國以外地區的製造產能生產其氮化鎵晶圓，意法半導體也可利用英諾賽科在中國的製造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同致力於拓展各自的氮化鎵產品組合和市場供應能力，並通過增強供應鏈佈局的靈活性和韌性，以滿足客戶對多樣化應用的需求。

董事會認為，意法半導體與英諾賽科的戰略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術普及，雙方團隊將共同致力於開發下一代氮化鎵技術。