全球首款儲存ETF上市五週暴漲88%！現在買入還來得及嗎？
AI 播客
TradingKey DRAM ETF 上市以來快速增長，資產規模突破 50 億美元。該 ETF 集中持股美光、SK 海力士、三星等 HBM 巨頭，受益於 AI 需求推動的記憶體供需缺口。儘管面臨集中持股和潛在的週期反轉風險，部分分析師認為對於看好 AI 儲存長期趨勢的投資者，小倉位分批參與仍屬理性。SK 海力士 ADR 上市在即，可能為 DRAM ETF 提供估值修復動能，但投資者需謹慎追高，並關注美光即將公布的財報。
唯一的純記憶體晶片ETF
ETF | 記憶體股部位 | 主要記憶體持股 |
DRAM | 近 100% | 美光、SK 海力士、三星 |
SMH | 約 5-6% | 僅美光 |
SOXX | 約 7-8% | 以美光為主 |
在 DRAM 上市之前，美股市場上只有 SOXX、SMH 這類廣基半導體 ETF，記憶體股部位極低。SMH 中只有美光（MU）一隻記憶體股，SOXX 中記憶體股合計僅 7%-8%。
DRAM 首次將美光、SK 海力士、三星這三大 HBM 巨頭打包成一隻純度極高的產品，三者合計權重接近七成，記憶體股部位接近 100%。
這種精準工具的稀缺性，是吸引大量資金短時間湧入的核心原因。再加上 AI 算力擴張對 HBM 需求的爆發式增長預期，資金自然向這一稀缺標的集中，推高了短期漲幅。
DRAM ETF 管理費率為 0.65%，高於廣基半導體 ETF（如 SMH 約 0.35%），但考慮到其純記憶體主題的稀缺性，仍在可接受範圍內。
基本面：記憶體供需缺口創15年新高
據高盛研報顯示，2026年全球DRAM供需缺口達4.9%，為近15年來最嚴重的短缺。三大記憶體原廠（SK 海力士、美光、三星電子）年內產能早已被全部預訂，新建晶圓廠從動工到量產通常需要4到5年。記憶體產業定價權已從買方轉向賣方，這為DRAM ETF提供了基本面支撐。
從估值看，DRAM當前本益比約6.31倍，處於歷史較低水準。但分析師提醒，記憶體晶片在利潤峰值時往往出現極低本益比，2018年美光利潤峰值時本益比也曾低至5-6倍，隨後因供需逆轉股價大幅回落。當前的低PE究竟是「低估買入訊號」還是「週期見頂警示」，仍有待後續財報驗證。
風險：集中持倉與反向訊號
該基金持股高度集中，前三大持股占比近七成。有觀點認為它是追逐最熱門題材的產物。一旦記憶體價格反轉，規模越大，賣壓就越重。
BTIG 分析師 Jonathan Krinsky 在 DRAM ETF 上市當天指出，過去一年高盛記憶體指數上漲約 350%，同期美光漲幅超過 700%，而 DRAM ETF 直到近期才推出，這在歷史上往往被視為反向指標。他以 Meme Stock ETF 為例，這款在 2021 年 12 月迷因股狂潮尾聲推出的產品，上市後累計跌幅超過 70%，最終在 2023 年 11 月清盤。
分析師同時強調，DRAM 與 Meme Stock ETF 在基本面和資金結構上有本質區別，歷史先例僅供參考，並非必然重演。前者有 HBM 結構性短缺和五年期長約的基本面支撐，後者純屬情緒驅動。
DRAM ETF 還值得入場嗎？
不同風格的投資者，策略也應不同。對於看好 AI 儲存長期趨勢的中長線投資者，以不超過投資組合 3% 的小倉位分批參與，仍是較為理性的選擇。而對於短線交易者，當前位置的風險報酬比已明顯下降。
美光將於 7 月 1 日公布第三季財報，這將是檢驗 HBM 漲價題材能否延續的關鍵節點。市場將驗證美光 335 億美元的營收展望（對應 EPS 約 18.9 美元）與實際業績的差距，同時關注第四季指引是否會與上季持平，這可能就是週期拐點的早期信號。在此之前，追高應當格外謹慎。
此外，SK 海力士 ADR 上市在即。這家全球最大的 HBM 供應商計劃於 2026 年 6 月至 7 月完成美國 ADR 上市，募資約 100 億美元。
目前 SK 海力士遠期本益比僅約 3-4 倍，遠低於美光的 8-9 倍。ADR 上市後，美國投資者將首次能夠直接交易該股票，其估值修復空間可能成為 DRAM ETF 的又一重利多。
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