全球首款存储ETF上市五周暴涨88%！现在买入还来得及吗？
AI播客
Roundhill Memory ETF（DRAM）上市后表现强劲，规模快速增长，主要得益于其高度集中的存储芯片持仓，特别是HBM相关股票，以及AI驱动的需求预期。高盛预测2026年DRAM供需缺口将达15年新高，为行业提供基本面支撑，且当前估值处于历史较低水平。然而，集中持仓带来的潜在风险不容忽视，并且近期市场热度可能已显现反向信号。长线投资者可考虑小仓位参与，但短期交易者需谨慎，关注美光和SK海力士财报及ADR上市等关键事件。
唯一的纯存储芯片ETF
ETF | 存储股仓位 | 主要存储持仓 |
DRAM | 近100% | 美光、SK海力士、三星 |
SMH | 约5-6% | 仅美光 |
SOXX | 约7-8% | 以美光为主 |
在DRAM上市之前，美股市场上只有SOXX、SMH这类宽基半导体ETF，存储股仓位极低。SMH中只有美光（MU）一只存储股，SOXX中存储股合计仅7%-8%。
DRAM首次将美光、SK海力士、三星这三大HBM巨头打包成一只纯度极高的产品，三者合计权重接近七成，存储股仓位接近100%。
这种精准工具的稀缺性，是吸引大量资金短时间涌入的核心原因。再加上AI算力扩张对HBM需求的爆发式增长预期，资金自然向这一稀缺标的集中，推高了短期涨幅。
DRAM ETF管理费率为0.65%，高于宽基半导体ETF（如SMH约0.35%），但考虑到其纯存储主题的稀缺性，仍在可接受范围内。
基本面：存储供需缺口创15年新高
据高盛研报表明，2026年全球DRAM供需缺口达4.9%，为近15年来最严重的短缺。三大存储原厂（SK 海力士、美光、三星电子）年内产能早已被全部预订，新建晶圆厂从动工到量产通常需要4到5年。存储行业定价权已从买方转向卖方，这为DRAM ETF提供了基本面支撑。
从估值看，DRAM当前市盈率约6.31倍，处于历史较低水平。但分析师提醒，存储芯片在利润峰值时往往出现极低市盈率，2018年美光利润峰值时市盈率也曾低至5-6倍，随后因供需逆转股价大幅回落。当前的低PE究竟是“低估买入信号”还是“周期见顶警示”，仍有待后续财报验证。
风险：集中持仓与反向信号
该基金持仓高度集中，前三大持仓占比近七成。有观点认为它是追着最热概念跑的产物。一旦存储价格逆转，规模越大，抛压越重。
BTIG分析师Jonathan Krinsky在DRAM ETF上市当天指出，过去一年高盛存储指数上涨约350%，同期美光涨幅超700%，而DRAM ETF直到近期才推出，这在历史上往往被视为反向信号。他以Meme Stock ETF为例，这只在2021年12月模因股狂潮尾声推出的产品，上市后累计跌幅超70%，最终在2023年11月清盘。
分析师同时强调，DRAM与Meme Stock ETF在基本面和资金结构上有本质区别，历史先例仅供参考，并非必然重演。前者有HBM结构性短缺和五年期长协的基本面支撑，后者纯属情绪驱动。
DRAM ETF 还值得入场吗？
不同风格的投资者，策略也应不同。对于看好AI存储长期趋势的中长线投资者，以不超过组合3%的小仓位分批参与，仍是较为理性的选择。而对于短线交易者，当前位置的风险回报比已明显下降。
美光将于7月1日公布第三财季业绩，这将是检验HBM涨价叙事能否延续的关键节点。市场将验证美光335亿美元的营收指引（对应EPS约18.9美元）与实际业绩的差距，同时关注第四财季指引会不会环比持平，这可能就是周期拐点的早期信号。在此之前，追高应当格外谨慎。
此外，SK海力士ADR上市在即。这家全球最大的HBM供应商计划于2026年6月至7月完成美国ADR上市，募资约100亿美元。
目前SK海力士远期市盈率仅约3-4倍，远低于美光的8-9倍。ADR上市后，美国投资者将首次能够直接交易该股票，其估值修复空间可能成为DRAM ETF的又一重利好。
