三星公布首批2纳米芯片性能数据 加速追赶台积电(TSM)

金吾财讯 | 据媒体报道，三星电子公布了其即将推出的2nm芯片工艺的首批性能数据，标志着该公司将更加积极地推进下一代晶圆代工制造，以缩小与台积电的差距。三星宣布，其首代2nm工艺采用了全栅极环绕（GAA）晶体管技术，相比第二代3nm工艺，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面积缩小5%。这是三星首次发布2nm的具体规格，此前仅出现概念性描述。台积电目前掌控全球晶圆代工市场超过70%的份额，而三星约为7%。大多数分析师预计，由于台积电产量高、生产稳定、以及AI加速器和数据中心芯片需求不断增长，其领先地位将持续。然而，韩国业内人士表示，从2nm节点开始，竞争可能会加剧。