AIメモリチップ需要が急増、SKハイニックスとサムスンが生産能力の大幅拡大に向け競い合う

SKグループの崔泰源（チェ・テウォン）会長は最近、Nikkei Asiaに対し、人工知能（AI）によるメモリチップ需要の拡大に対応するため、SKハイニックスが2034年までにウェハーの総生産能力を3倍に引き上げる計画であることを明らかにした。同会長は、5年以内に生産能力が倍増すると予測している。

SKハイニックスは主要サプライヤーと拡張計画を共有しており、月間のDRAMウェハー生産能力を現在の約55万枚から2030年頃までに約100万枚に引き上げることを主な目標としている。そのうち約20万枚は中国の無錫工場が担う。

追加される生産能力の大部分は、龍仁（ヨンイン）半導体産業クラスターによるものである。SKハイニックスは龍仁のウェハー工場の建設スケジュールを大幅に前倒ししており、第1段階は来年初めに完成する見込みだ。龍仁工場の第1段階は6つのクリーンルームに分かれており、稼働に伴い各クリーンルームで月間6万枚の生産能力が順次追加される。これにより、第1工場だけで2030年上半期までに月間36万枚のDRAM生産能力が上乗せされることになる。

一方、清州（チョンジュ）にあるSKハイニックスのM15Xウェハー工場は今年後半に稼働を開始する予定で、初期の月間生産能力は4万枚、2027年までに約8万枚に増加する見通しだ。龍仁の第1段階とM15Xによる拡張分を合わせると、SKハイニックスの月間DRAMウェハー生産能力は、2030年から2031年の間に約100万枚に達する勢いである。

国内での拡張に続き、SKグループはNvidia（ NVDA）と連携し、2028年から2029年にかけて日本にAIデータセンターを建設する計画だ。

サムスン電子は、韓国の光州（クァンジュ）に新たな次世代半導体パッケージング工場の建設を検討している。これが実現すれば、サムスンにとって35年ぶりの新たなパッケージング拠点となり、平沢（ピョンテク）キャンパスの着工以来11年ぶりの大規模な半導体生産施設の稼働となる。

韓国メディアの報道によると、サムスンは早ければ6月29日に行われる韓国大統領と主要財閥首脳との会談で、この投資計画を正式に発表する可能性がある。光州工場が完成すれば、サムスンのパッケージング事業の拠点は、忠清道（チュンチョンド）の従来の拠点（牙山市温陽や天安など）から南の湖南（ホナム）地方へと拡大することになる。

技術ロードマップに関しては、サムスンは天安（チョナン）拠点でHBMの後工程の生産能力を積極的に増強しており、2026年末までに月間生産能力を熱圧着ボンディング（TCB）で23万1000個、ハイブリッド銅ボンディング（HCB）で1万9500個まで引き上げることを目指している。さらに、サムスンは2029年にHBMの積層プロセスをTCBからHCBへ完全に移行する計画であり、次世代の先端パッケージング技術に対する継続的なコミットメントを強調している。

海外事業については、サムスンはベトナムに約15億ドルを投じて半導体テスト施設を建設する方針だ。同施設の建設は2026年4月に開始されており、2027年11月に正式な生産開始を見込んでいる。

アナリストは、AI演算能力への需要が爆発的に増加し続ける中、先端パッケージングと高性能メモリーチップが半導体業界の競争における戦略的要衝になっていると指摘する。SKハイニックスとサムスンは、大規模な資本拡大と明確な生産能力計画をテコに、AI時代の市場機会を積極的に捉えようとしている。

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