AI存储芯片需求激增，SK海力士与三星竞相大幅扩充产能

SK集团董事长崔泰源近日向《日经亚洲》透露，SK海力士计划到2034年将其晶圆总产能提升两倍，以满足人工智能驱动下不断增长的存储芯片需求，他预计晶圆产能将在五年内翻一番。

SK海力士已与主要供应商分享了其扩产计划，核心目标是到2030年前后将DRAM晶圆月产能从目前约55万片提升至约100万片，其中来自中国无锡工厂约占20万片。

新增产能的大部分将来自龙仁半导体产业集群。SK海力士已将龙仁晶圆厂建设计划大幅提前，首阶段预计于明年初完工。龙仁一期工厂划分为六个洁净室，每个洁净室启用后将逐步增加6万片月产能，到2030年上半年仅首厂即可新增36万片DRAM月产能。

与此同时，SK海力士位于清州的M15X晶圆厂计划于今年下半年开始运营，初始月产能为4万片，预计2027年提升至约8万片。结合龙仁一期与M15X的扩建贡献，SK海力士的DRAM晶圆月产能有望在2030至2031年间达到约100万片。

完成本土扩张后，SK集团还计划与英伟达（NVDA）合作，于2028年至2029年间在日本建设一座AI数据中心。

三星电子正考虑在韩国光州市新建一座先进的半导体封装工厂。这将是三星35年来首次打造封装基地，也是继平泽园区动工之后、11年来首次启动重大半导体生产设施。

据韩国媒体报道，三星最快可能在6月29日举行的韩国总统与企业集团负责人会议上正式公布这一投资计划。光州新厂落成后，三星的封装业务布局将从传统的忠清道重镇（如牙山温阳、天安）向南延伸至湖南地区。

在技术布局方面，三星正大力扩充天安基地的HBM后端处理产能，目标是在2026年底前，将热压键合（TCB）月产能提升至23.1万颗，混合铜键合（HCB）月产能提升至1.95万颗。此外，三星计划于2029年将HBM堆叠工艺从TCB全面切换为HCB，彰显其对下一代先进封装技术的持续投入。

海外布局上，三星拟向越南投资约15亿美元建设半导体测试设施。该设施已于2026年4月动工，预计2027年11月正式投产。

分析人士指出，随着AI算力需求持续爆发，先进封装与高性能存储芯片已成为半导体产业竞争的战略高地。SK海力士与三星正凭借庞大的资本扩张和明确的产能规划，积极抢占AI时代的市场先机。