IBM(IBM)發佈全球首款1納米芯片技術 盤前揚升4.12%

金吾財訊 | IBM(IBM)週四宣佈了一項歷史性的半導體技術突破：推出全球首款突破1納米(sub-1 nm)瓶頸的芯片技術。該技術採用革命性的0.7納米(即7埃，7 Angstrom)工藝節點，並首次引入了全新的三維“納米堆疊”晶體管架構。

據官方公佈的測試技術報告，新型0.7納米芯片可在僅有指甲蓋大小的硅片上集成了近1000億個晶體管，其晶體管密度幾乎是IBM在2021年推出的2納米芯片的兩倍。相較於當前的2納米制程，該技術預計將帶來高達50%的性能提升，或在同等性能下降低高達70%的能耗。同時，新架構成功實現了40%的靜態隨機存取內存(SRAM)尺寸微縮，意味着芯片設計商能夠在同等面積下塞入更大的緩存，從而完美契合生成式人工智能和現代雲基礎設施對高帶寬數據傳輸的極端需求。

作爲本輪技術突破的核心，IBM研究院開發的“納米堆疊”技術是全球首個已知的三維納米片設計，它顛覆了目前主流的平面微縮邏輯，通過3D順序集成技術，將晶體管在垂直方向上進行堆疊和交錯。

IBM研究部主任傑伊·甘貝塔對此評價道：“這標誌着計算機芯片開始從納米時代正式邁向原子級尺度。通過納米堆疊架構，我們不僅僅是在製造更小的晶體管，而是徹底重新發明了芯片的構建方式。它將確保全球邏輯芯片技術在未來至少十年內依然擁有持續微縮的路線圖。”

目前，該技術已通過極其嚴苛的CMOS互連與雙通道工程實驗驗證，成功運行了功能性CMOS反相器，證明了該3D物理架構在實際計算中的可行性。

據悉，該項尖端前沿研究由IBM與其位於紐約奧爾巴尼的全球半導體研究聯盟共同完成。該研究中心近期將部署由ASML製造的高數值孔徑極紫外光刻機，該設備能夠實現超高精度的電路印刷。包括泛林集團、東京電子以及屏幕半導體在內的全球半導體設備巨頭目前正與IBM通力合作，共同開發High NA EUV的配套工藝。

此外，IBM還披露了其此前成立的全球首家純量產晶圓代工廠Anderon的戰略佈局，旨在確保未來先進工藝及量子晶圓的本土供應鏈安全。根據IBM的半導體路線圖規劃，這項代表人類芯片製造最高精度的0.7納米“納米堆疊”技術，預計最快將在未來5年內(即2031年前後)步入商業化量產階段。

截至本文發稿，IBM美股盤前股價揚升4.12%，最新報273.80美元。