三星電子CTO：內存強勁需求料持續到2027年 HBM4客戶反響良好

金吾財訊 | 三星電子首席技術官表示，該公司預計，市場對內存芯片的強勁需求不僅將持續今年全年，而且還將持續到明年，因爲人工智能推動了強勁的需求。他還重點強調，三星公司的HBM4芯片顯示出“良好的”製造良率，客戶對其性能表示非常滿意。據報道，三星計劃在本月晚些時候開始HBM4的大規模生產並將其交付給主要客戶。其HBM4芯片使用其1c工藝（第六代10納米級DRAM技術）製造DRAM單元芯片，同時使用4納米工藝製造基板芯片。基於這些技術，三星的HBM4芯片實現了高達每秒11.7Gbps的數據處理速度，超過了聯合電子器件工程委員會規定的8Gbps標準。