美光稱 AI 推動的內存短缺“前所未有”

英偉達 （Nvidia Corp.）的供應商美光科技 （Micron Technology Inc.）表示，內存芯片短缺在過去一個季度進一步加劇，並重申由於 AI 基礎設施所需的高端半導體需求激增，這一緊張局面將持續到今年以後。

美光運營執行副總裁馬尼什·巴蒂亞（Manish Bhatia）在上週五公司於紐約州錫拉丘茲（Syracuse）郊外爲一處總投資 1000 億美元的生產基地舉行奠基儀式後不久接受採訪時表示：“我們目前看到的這種短缺確實是前所未有的。”這一表態強化了美光在去年 12 月給出的類似預測。

巴蒂亞表示，用於製造人工智能加速器的高帶寬內存正在“消耗整個行業中大量可用產能，從而在傳統領域——如手機或 PC——造成了嚴重短缺”。

他補充稱，PC 和智能手機廠商已經加入排隊行列，試圖鎖定 2026 年之後的內存芯片供應，而自動駕駛汽車和人形機器人也將進一步推高對這些組件的需求。

上週五，界面新聞報道稱，包括小米集團、OPPO 以及傳音控股在內的多家中國主要智能手機廠商，因內存成本上升，正在下調 2026 年的出貨目標，其中 OPPO 的下調幅度最高可達 20%。

行業研究機構 Counterpoint Research 在去年 12 月估計，由於內存芯片短缺推高成本並壓縮產能，今年全球智能手機出貨量可能下降 2.1%。包括戴爾科技（Dell Technologies Inc.）在內的 PC 廠商也警告稱，持續的短缺很可能會對其業務造成影響。

全球內存芯片行業三巨頭——美光、SK 海力士（SK Hynix Inc.）和三星電子（Samsung Electronics Co.）——的股價在 2025 年因 AI 熱潮而大幅上漲。SK 海力士表示，其 2026 年的全部芯片產能已被預訂一空；美光也稱，其 AI 內存半導體今年同樣已經滿單。

爲優先向包括英偉達在內的戰略級企業客戶供貨，美光去年 12 月表示將終止其廣受歡迎的 Crucial 品牌消費級內存業務。AI 行業對內存芯片近乎無止境的需求，也讓美光在美國和亞洲擴張製造能力的計劃變得更加緊迫。

上週六，美光宣佈計劃以 18 億美元收購一處帶有現成工廠的廠址。

這一舉措大幅縮短了美光新建工廠投產所需的時間。公司表示，將在 2027 年下半年開始實現 DRAM 晶圓的實質性產出。

DRAM 爲英偉達和英特爾（Intel Corp.）等公司的複雜處理器提供計算所需的運行環境，也是 AI 加速器實現最佳性能所必需的高帶寬內存的核心。

巴蒂亞在上週五的採訪中表示：“我們在亞洲工廠所做的工作，將是持續向下一代技術過渡。”

另一方面，他補充稱，新增的晶圓產能幾乎將全部落地美國。

美光位於錫拉丘茲附近、總投資 1000 億美元的項目計劃建設四座 DRAM 晶圓廠——每一座的面積約相當於 10 個足球場。首批晶圓預計將在 2030 年從生產線上下線。

這家美國芯片製造商還將在博伊西現有研發設施旁新增相當於兩座晶圓廠的產能。其中第一座愛達荷州工廠計劃於 2027 年開始投產，第二座工廠正在規劃中。此外，公司還在對弗吉尼亞州一處現有製造設施進行現代化改造和擴建。