碳化硅繼續火熱！六大概念股盤點（名單）

1月15日，碳化硅概念再度爆發，天嶽先進20cm漲停，三安光電、通富微電、賽騰股份同樣漲停，晶升股份、華潤微、光力科技等漲幅居前。

消息面上，近期，碳化硅領域不斷傳來利好。

1月13日，全球碳化硅技術龍頭Wolfspeed宣佈，成功製造出行業首個300毫米(12英寸)單晶體碳化硅晶圓，標誌着產業向更高產量、更低成本製造邁出了決定性的一步，爲滿足未來十年AI、電動汽車的龐大需求鋪平了道路。

幾乎在同一時間，國內也傳來捷報。由晶盛機電子公司浙江晶瑞研發的12英寸碳化硅襯底，成功實現了厚度均勻性(TTV)≤1微米的關鍵技術突破，並已開始小批量出貨。這打破了碳化硅因其超高硬度帶來的精密加工瓶頸，並且整條中試線設備實現了100%國產化，意義重大。

臺積電的最新財報同樣推波助瀾，1月15日，臺積電公佈2025年第四季度財報。該季度臺積電營收1.046萬億新臺幣(約合337.3億美元)，同比增長20.5%。該季度臺積電淨利潤5057億新臺幣(約合160億美元)，同比增長35%，創歷史新高，並連續第七個季度實現兩位數增長。另外，臺積電預計2026年資本支出將增長高達37%，達到560億美元，遠高於2025年實際支出的409億美元，創下該公司歷史新高。

這一潛在的天量需求預期，徹底打開了碳化硅在AI算力領域的想象空間。作爲第三代半導體核心材料，碳化硅(SiC)憑藉其獨特的特性，正逐步突破傳統硅基半導體的物理極限，成爲推動新能源革命與算力升級的關鍵力量。

和其他材料相比，碳化硅具有更大的禁帶寬度，可以保證材料在高溫下，電子不易發生躍遷，本徵激發弱，從而可以耐受更高的工作溫度。碳化硅的禁帶寬度是硅的約3倍，理論工作溫度可達400℃以上。

此外，碳化硅的臨界擊穿場強是硅的約10倍，能夠耐受更高的電壓，更適用於高電壓器件。

同時，高溫是影響器件壽命的主要原因之一，熱導率代表了材料的導熱能力，碳化硅的高熱導率可以有效傳導熱量，降低器件溫度，維持其正常工作。

值得注意的是，碳化硅的飽和電子漂移速率更是硅的兩倍，有助於提高工作頻率，將器件小型化。

隨着全球能源轉型與人工智能算力需求爆發，碳化硅產業競爭已從單點技術突破進入全生態佈局的新階段。

另外，憑藉其高耐壓、高頻率、低損耗的優異性能，碳化硅正加速滲透新能源汽車的主驅逆變器、車載充電機(OBC)及直流變換器(DC-DC)。機構數據顯示，採用碳化硅模塊可使電動汽車續航里程提升5%-10%，或降低電池成本

在微波通訊領域，碳化硅同樣大放異彩，碳化硅爲襯底的氮化鎵射頻器件同時具有碳化硅良好的導熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優勢，能夠提供下一代高頻電信網絡所需要的功率和效能，成爲5G基站功率放大器的主流選擇。

中金公司最新研究報告認爲，碳化硅(SiC)材料是第三代化合物半導體的典型代表，特別是在下游需求快速成長的新能源相關應用中，中金公司認爲SiC相比Si基材料優勢明顯：1)在新能源車領域，SiC器件有望解決續航里程短、補能時間長等痛點；2)在光伏發電方面，SiC器件有望提升逆變器轉換效率及使用壽命。

東方證券先前同樣表示，隨着英偉達GPU芯片的功率越來越大，將衆多芯片集成到硅中介層將導致更高的散熱性能要求，而如果採用導熱率更好的SiC中介層，其散熱片尺寸有望大幅縮小，優化整體封裝尺寸。基於此，部分頭部公司已經注意到碳化硅在中介層中的應用潛力。碳化硅導熱性能優異，有望在中介層、散熱基板等環節應用，相關廠商有望受益。

根據Wolfspeed預測，2026年SiC相關器件市場有望達到89億美元，襯底市場有望達到17億美元，合計市場超百億。

這裏證券之星爲大家整理了部分碳化硅概念股，需要注意的是，相關概念股僅供投資者參考，不構成任何投資建議。

1、天嶽先進：全球碳化硅襯底龍頭，導電型襯底市佔率全球前三，8英寸產品已量產

2、三安光電：國內化合物半導體IDM龍頭，重慶8英寸碳化硅襯底項目已點亮通線

3、晶升股份：半導體晶體生長設備供應商，爲碳化硅襯底生產提供核心設備

4、露笑科技：公司從2020年起開始佈局碳化硅領域，設立合肥露笑半導體材料有限公司，掌握了4英寸、6英寸導電性碳化硅襯底片的工藝

5、新潔能：公司專注於功率器件設計領域，在碳化硅MOSFET方面有深入佈局，已經成功推出第二代碳化硅MOSFET系列產品

6、立昂微：旗下立昂東芯專注於相關技術的突破，已經完成開發國內第一款6英寸0.45微米-0.25微米的碳化硅基氮化鎵工藝技術產品開發