存儲晶片格局洗牌！輝達捧SK海力士首登第一，三星仍不甘示弱

TradingKey - 就在2025年二季度，全球存儲晶片市場的頭把交椅易主。憑藉主要AI客戶輝達對高帶寬內存（HBM）的高需求，韓企SK海力士歷史上首次在季度存儲營收上超越長期領導者三星電子，但這一競爭格局仍有變數。

上週公佈的財報顯示，SK海力士二季度營收年增35%至22.23萬億韓元（161.7億美元），超預期且創曆史新高；核心業務DRAM（動態隨機存取記憶體）市場份額首次超過三星。

7月31日週四三星電子公佈二季度業績，包括DRAM和NAND（非易失性存儲，即閃存）業務在內的存儲營收降低至21.2萬億韓元（152億美元），不及SK海力士的21.8萬億韓元。

這就意味著，在整體存儲收入上，SK海力士現已成為全球第一大存儲晶片製造商，為公司歷史上首次。

據Counterpoint Research數據，今年二季度SK海力士當前佔據全球高寬帶內存（HBM）出貨量的62%市場份額，美光科技以21%位居第二，而三星佔比從去年同期的41%腰斬至17%。

HBM、DRAM和NAND是三種不同的存儲技術。DRAM適用於臨時存儲運行中的程序和數據，而HBM是通過先進封裝和3D堆疊技術實現的高性能DRAM，能夠處理AI任務中的高速運算，整體利潤率較高。NAND則適用於長期存儲，容量更大、讀寫速度更慢。

Counterpoint Research研究總監MS Hwang表示，市場剛剛見證SK海力士曆史上首次成為整體存儲第一的巨大轉變。但另一方面，三星的HBM銷量似乎已經觸底——今年第一季觸底，第二季有復蘇跡象。

Hwang指出，這兩家韓國晶片製造商的增長軌跡在2024年上半年開始出現分化，主要推動力是輝達AI產品及其附帶的HBM需求的激增。

有分析師表示，雖然三星和美光科技正在奮力追趕，但憑藉輝達核心供應商的地位，業界普遍認為SK海力士的領先地位將持續至2025年，甚至是2026年。

Counterpoint Research表示，為了重新奪會失去的市場份額，三星必須使其HBM3E客戶群多樣化，並通過輝達嚴格的質量測試。

目前，因散熱和能效等問題，輝達遲遲未披露對三星HBM3e的測試結果。在等待輝達通過質量認證之際，三星也採取了一系列積極舉措。

據悉，在二季度利潤暴跌94%後，三星計劃大幅降低HBM3e的生產成本和降低售價，以吸引輝達的採用，試圖打破輝達在AI GPU對SK海力士的依賴局面。

此外，三星日前確認與特斯拉就在美生產下一代A16晶片達成165億美元的合作伙伴關係，此舉將有助於提振三星的整體增長前景。