三星tron的HBM4芯片預計將於本月晚些時候開始出貨

三星tron預計將於本月晚些時候開始出貨其下一代高帶寬內存HBM4。據業內可靠消息人士透露，出貨預計將在農曆新年假期之後進行。.

，三星電子tron將成爲首家將這款被廣泛認爲是人工智能計算領域顛覆性芯片的商業化存儲器製造商。

該公司計劃最早於2月第三週開始向英偉達交付HBM4顯存。英偉達預計將在其下一代人工智能加速器平臺Vera Rubin中使用這種顯存。.

三星計劃本月開始出貨HBM4芯片

此舉標誌着命運。此前，三星在HBM芯片領域的競爭力一直備受質疑和批評。憑藉HBM4，三星的目標是縮小與同城競爭對手SK海力士憑藉人工智能數據中心的強勁需求，在該領域取得了早期領先地位。

一位業內人士表示，此舉將爲三星在科技領域帶來急需的復甦。.

業內人士還提到，作爲首家大規模生產高性能 HBM4 的公司，該公司在按照自己的意願塑造市場方面擁有明顯的優勢。.

預計英偉達將在本月晚些時候舉行的年度開發者大會GTC 2026上發佈搭載HBM4顯存的Vera Rubin加速器。三星表示，出貨時間是在與英偉達的產品路線圖和下游系統級測試計劃協調後確定的。.

除了速度之外，三星在產品技術方面的創新也值得關注。從一開始，該公司就計劃超越JEDEC制定的標準，率先採用了業界第六代10納米級DRAM（1c）工藝與自主研發的4納米邏輯芯片相結合的技術。.

因此，三星的 HBM4 可提供每秒約 11.7 Gbps 的數據傳輸速度，遠遠高於 JEDEC 的 8 Gbps 標準。.

該數值也比標準提高了 37%，比上一代 HMB3E 提高了 22%。.

據消息人士透露，該內存堆棧的單棧內存帶寬最高可達每秒3TB，約爲其前代產品的2.4倍。此外，它採用12層堆疊設計，最大容量可達36GB。.

行業估計顯示，未來採用 16 層高配置後，容量可增長至 48GB。.

在大規模生產之前，預計還會有進一步的改進。

業內人士指出，儘管採用了尖端工藝，三星在量產前已實現了穩定的良率，隨着產量的擴大，預計良率還會進一步提高。.

三星還談到了能效，指出 HBM4 的設計旨在最大限度地提高計算性能，同時降低能耗，幫助數據中心降低電力使用和冷卻成本。.

該公司預計今年的HBM銷量將比去年增長三倍以上，並已決定在其平澤園區4號生產線增設生產線以擴大產能。業內人士補充說，該工廠預計每月將生產約10萬至12萬片晶圓，專門用於HBM4產品中使用的1c DRAM。

去年，三星已經爲 1c DRAM 工藝建立了每月約 6 萬至 7 萬片晶圓的產能。.

隨着計劃中的擴產，HBM4 的 1c 總產量計劃達到每月約 20 萬片晶圓，約佔三星 DRAM 總產能（約 78 萬片晶圓）的四分之一。.

預計HBM4市場將由三星和SK海力士主導，而總部位於美國的Micron Technology已被視爲退出競爭。市場 trac機構SemiAnalysis預測，SK海力士預計將佔據HBM4市場約70%的份額，而三星將佔據剩餘的30%。.

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