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記憶體巨頭鎧俠332層快閃記憶體出貨AI資料中心,股價劇震後強勢翻紅漲超10%

TradingKey
作者Jay Qian
2026年7月3日 06:30

AI 播客

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鎧俠於7月3日宣布送樣第十代BiCS FLASH 3D快閃記憶體,該款332層堆疊技術產品專攻AI資料中心儲存需求。技術指標方面,藉由CBA架構與垂直堆疊優化,其介面速度達4.8Gb/s,位元密度提升59%,且讀寫能效顯著改善。受此消息激勵,鎧俠股價在經歷盤中震盪後強勢翻紅,漲幅逾10%。隨全球記憶體競爭加劇,鎧俠藉此領先技術卡位供應鏈,預計於2027年在北上工廠啟動量產,為其在高階儲存市場的競爭力奠定基礎。

該摘要由AI生成

TradingKey - 7月3日亞盤時段,全球記憶體晶片巨頭鎧俠宣布已正式向客戶送樣其第十代BiCS FLASH 3D快閃記憶體技術產品。這款採用332層堆疊架構的1Tb TLC晶片,直指AI資料中心對大容量、低功耗儲存的爆發式需求,標誌著這場圍繞AI基礎設施的「記憶體大戰」進入新階段。

儘管日經225指數早盤承壓,鎧俠股價一度因市場情緒波動跌超9%,但隨著新品技術細節消化,股價迅速翻紅並飆漲超10%,上演強勢反彈。截至發稿,鎧俠股價漲10.07%,報83940日圓。此前,受益於AI熱潮,鎧俠市值已超越豐田位居日本榜首。

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【來源:富途】

據悉,此次送樣的第十代產品實現了技術上的重大跨越。依託自第八代起引入的「CMOS直接鍵合到晶圓陣列」(CBA)技術,新一代快閃記憶體的NAND介面速度達到4.8Gb/s,較上一代提升33%;而高達332層的垂直堆疊與優化的橫向密度,則使其位元密度暴增59%。更重要的是,其讀寫能效分別改善了18%和30%,直擊資料中心高功耗的痛點。

該新品由鎧俠位於日本岩手縣的北上工廠Fab2生產,該廠是其全球唯一可規模化產出332層快閃記憶體的基地。

面對三星、SK海力士等對手在300層以上快閃記憶體的激烈競爭,鎧俠憑藉BiCS 10的先發優勢,正全力卡位AI資料中心供應鏈。市場消息稱,該產品預計於2027年在北上工廠啟動量產。

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審核Jay Qian
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