存储巨头铠侠332层闪存出货AI数据中心，股价巨震后强势翻红涨超10%
AI播客
7月3日，铠侠宣布正式出样第十代BiCS FLASH 332层3D闪存，旨在满足AI数据中心的高性能存储需求。该产品基于CBA技术，实现接口速度4.8Gb/s、位密度提升59%及显著的能效改善。受技术进展带动，铠侠股价经历盘中大幅震荡后最终强势反弹超10%，报收83940日元。该闪存计划于2027年实现规模化量产。作为应对行业竞争的关键布局，铠侠凭借此次技术升级，意在进一步巩固其在AI基础设施供应链中的核心卡位优势。
TradingKey - 7月3日亚盘时段，全球存储芯片巨头铠侠宣布已正式向客户出样其第十代BiCS FLASH 3D闪存技术产品。这款采用332层堆叠架构的1Tb TLC芯片，直指AI数据中心对大容量、低功耗存储的爆发式需求，标志着这场围绕AI基础设施的“记忆体大战”进入新阶段。
尽管日经225指数早盘承压，铠侠股价一度因市场情绪波动跌超9%，但随着新品技术细节消化，股价迅速翻红并飙涨超10%，上演强势反弹。截止发稿，铠侠股价涨10.07%，报83940日元。 此前，受益于AI热潮，铠侠市值已超越丰田位居日本榜首。
【来源：富途】
据悉，此次出样的第十代产品实现了技术上的重大跨越。依托自第八代起引入的“CMOS直接键合到晶圆阵列”（CBA）技术，新一代闪存的NAND接口速度达到4.8Gb/s，较上一代提升33%；而高达332层的垂直堆叠与优化的横向密度，则使其位密度暴增59%。更重要的是，其读写能效分别改善了18%和30%，直击数据中心高功耗的痛点。
该新品由铠侠位于日本岩手县的北上工厂Fab2生产，该厂是其全球唯一可规模化产出332层闪存的基地。
面对三星、SK海力士等对手在300层以上闪存的激烈竞争，铠侠凭借BiCS 10的先发优势，正全力卡位AI数据中心供应链。市场消息称，该产品预计于2027年在北上工厂启动量产。
