Gigante de memórias Kioxia envia chips flash de 332 camadas para data centers de IA, ações disparam mais de 10% após fortes oscilações
Em 3 de julho, a Kioxia iniciou o envio de amostras da tecnologia flash 3D de 10ª geração (332 camadas), visando a demanda de data centers de IA. Com densidade de bits 59% superior e interface de 4,8 Gb/s, o produto melhora a eficiência energética em até 30%. Após queda inicial, as ações da Kioxia valorizaram 10,07%, atingindo 83.940 ienes, refletindo o otimismo com a vantagem tecnológica frente à concorrência. A produção em massa na unidade de Kitakami está prevista para 2027, consolidando a estratégia da empresa em infraestruturas de alto desempenho.

TradingKey - Durante a sessão de negociação asiática de 3 de julho, a gigante global de chips de memória Kioxia anunciou que começou oficialmente a enviar amostras de seus produtos de tecnologia de memória flash 3D BiCS FLASH de 10ª geração para clientes. Apresentando uma arquitetura empilhada de 332 camadas, este chip TLC de 1Tb é voltado diretamente para a demanda explosiva por armazenamento de alta capacidade e baixo consumo de energia em data centers de IA, sinalizando uma nova fase na "guerra da memória" em torno da infraestrutura de IA.
Embora o Índice Nikkei 225 tenha estado sob pressão no início do pregão e as ações da Kioxia tenham caído inicialmente mais de 9% devido às oscilações do sentimento do mercado, os papéis rapidamente viraram para o campo positivo e dispararam mais de 10% à medida que os detalhes técnicos do novo produto eram assimilados, protagonizando uma forte recuperação. Até o momento desta publicação, as ações da Kioxia subiam 10,07%, cotadas a 83.940 ienes. Anteriormente, beneficiando-se do boom da IA, a capitalização de mercado da Kioxia havia superado a da Toyota, assumindo o primeiro lugar no Japão.

[Fonte: Futu]
Segundo informações, este produto de 10ª geração, que atualmente está em fase de amostragem, representa um grande salto tecnológico. Apoiando-se na tecnologia "CMOS diretamente acoplado ao Array" (CBA) introduzida na oitava geração, a próxima geração de memória flash alcança uma velocidade de interface NAND de 4,8 Gb/s, um aumento de 33% em relação à geração anterior. Ao mesmo tempo, o empilhamento vertical de até 332 camadas combinado com a densidade lateral otimizada resultou em um aumento impressionante de 59% na densidade de bits. Mais importante ainda, suas eficiências energéticas de leitura e gravação melhoraram 18% e 30%, respectivamente, respondendo diretamente ao gargalo do alto consumo de energia em data centers.
O novo produto é fabricado na Fab2 da Kioxia em Kitakami, na província de Iwate, no Japão, que é a sua única instalação global capaz de escalar a produção de memória flash de 332 camadas.
Diante da concorrência acirrada de rivais como Samsung e SK Hynix no segmento de memórias flash de mais de 300 camadas, a Kioxia está empenhando todos os esforços para garantir sua posição na cadeia de suprimentos de data centers de IA, aproveitando a vantagem pioneira do BiCS 10. De acordo com fontes do mercado, a produção em massa do produto deve começar na fábrica de Kitakami em 2027.
Este conteúdo foi traduzido por IA e revisado por humanos. Ele é fornecido apenas para fins informativos e de referência, não constituindo aconselhamento financeiro ou recomendação de investimento.
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