SKハイニックスが8％超上昇、1c DRAMプロセスへの移行加速で来年第1四半期に主流化の見通し

TradingKey - 9月7日のアジア市場の取引で、SKハイニックスの株価は8.26%高の178万3,000韓国ウォン（約1,324.58ドル）で取引を終えた。一方、同社の先端DRAMプロセスノードへの移行状況も市場の注目を集めている。

[出所：TradingView]

韓国メディアのChosunBizが業界関係者の話として報じたところによると、SKハイニックスは第6世代の10nm級DRAM技術である1c nmプロセスの生産能力シェアを急速に拡大させている。

[出所：ChosunBiz]

業界の試算によると、同社の全DRAM生産能力に占める1c DRAMの割合は、今年第1四半期の約10%から第2四半期には約13%に上昇し、第3四半期には約24%、第4四半期には約34%に達すると見込まれている。2027年第1四半期までに1cの比率はさらに約35%へ上昇し、1bプロセス（当時約33%と予想）を初めて上回り、SKハイニックス最大のDRAMプロセスノードとなる見通しだ。

一方、1b DRAMの比率は今年第2四半期に約43%でピークを迎えたとみられ、1cへの移行加速に伴い徐々に低下する見込みだ。SKハイニックスは以前、第2四半期の決算説明会で、1cプロセスを採用したDRAM製品の出荷が第2四半期から正式に開始されたことを確認している。

HBMはこのプロセスノード移行における主要な応用分野である。SKハイニックスは量産安定性を確保するため、HBM4には引き続き成熟した1b DRAMを使用する一方、次世代のHBM4Eではコアダイとして初めて1c DRAMを採用する。

同社は今年4月の決算説明会で、2026年後半にHBM4Eサンプルを供給し、2027年の量産開始を目指す計画だと述べた。実際の進捗は期待通りであり、6月18日、SKハイニックスは主要顧客向けに12層HBM4Eサンプルの出荷を開始したと発表した。同製品は1ピン当たり16Gbpsの最大転送速度を実現し、前世代と比較して電力効率が20%以上向上している。

業界比較の観点から見ると、ChosunBizが引用した業界の試算によれば、今年第2四半期末時点でのサムスン電子とマイクロン（MU）の1c DRAMの比率は、それぞれのDRAM生産能力の約16%と19%であり、同期間のSKハイニックスの約13%という水準を上回っていた。

しかし、SKハイニックスは今年後半に1cプロセスへの移行を加速させている。同レポートによると、第4四半期までにSKハイニックスの1c比率は約34%に達し、同期間のサムスン電子の約31%を上回ると予想されている。

1c DRAMの比率上昇と、サーバー、AI、HBMなどの高付加価値製品の供給拡大に伴い、より高度なプロセスノードがもたらすウェハ当たりのビット出力増加は、コスト競争力を高め、収益構造を改善すると期待されている。

SKハイニックスは、下半期におけるHBM4生産能力の拡大と1cプロセスに基づく汎用DRAMの出荷増加により、下半期のビット成長率が上半期を上回ると予想している。

現在の業界予測によると、1cは来年第1四半期に同社の主要プロセスノードになると予想されており、その後のHBM4Eの量産に向けた生産能力とプロセス基盤を提供する。