サンディスク株価予想：中国メーカーがDRAMおよびNAND業界の障壁を急速に打破か：株価は1,100ドルを割り込むか？

TradingKey - 米東部時間7月27日、サンディスク（ SNDK）は取引時間中に一時14%超急落し、安値1,226.9ドルを付け、5月上旬以来の安値を記録した。報道によると、中国のメモリチップメーカーである長鑫存儲（ChangXin Storage）が本日上場し、86億ドルの新規公開株（IPO）を完了した。同社株は上場初日に466%急騰し、メモリチップにおける中国の市場シェア拡大に対する市場の信頼感を反映した。

調査会社カウンターポイント・リサーチのアナリストは、標準化の度合いが高い汎用DRAMおよびNAND市場は中国のメモリメーカーの影響を受ける可能性があり、業界の競争環境と投資ロジックは構造的な変化を遂げつつあると指摘した。一方、極めて高い技術障壁を持つ高帯域幅メモリ（HBM）は、今後数年間にわたりマイクロン（ MU）、サムスン、およびSKハイニックス（ SKHY）によって独占され続ける見通しだ。

AIの演算能力を支える中核チップとして、HBMの技術障壁は汎用メモリ製品をはるかに上回っている。カウンターポイントは、中国メーカーによるHBM3の量産開始は早くても2027年上半期になると指摘している。その頃には、海外の主要3大巨頭はすでにHBM4の量産段階に入っており、技術ロードマップが次の世代へと移行しているため、両者の間には約1世代の技術的格差が維持されることになる。

しかし、汎用DRAMおよびNANDの業界障壁は、中国メーカーによって急速に突破される可能性がある。これらの製品は高度に標準化されており、顧客の意思決定は価格に対して非常に敏感で、核心的な障壁は独自技術ではなく資本投資にあるためだ。ウエスタンデジタル（ WDC）とサンディスクは、この分野における競争優位性が比較的弱く、中国メーカーからの打撃を真っ先に受けることになる。

報道によると、メモリの全体的な価格は過去1年間で4倍近く急騰しており、その上昇の大部分はここ半年に集中している。しかし、価格上昇を牽引する核心的なボトルネックは、市場で一般的に認識されているようなデータセンター向けHBMではなく、スマートフォン、PC、家電製品などのエンドユーザー向けカテゴリーであり、特にDRAMの需給ギャップが顕著となっている。最も価格が上昇し、最も魅力的な利益率をもたらしているこの消費者向け汎用メモリ市場こそが、まさに中国メーカーの生産能力拡大の主要なターゲット市場である。豊かな利益獲得の可能性は、これら後発企業にとって絶好の参入の窓口となっている。

サンディスク 2時間足株価チャート、出所：TradingView

サンディスクの株価チャートによると、本日株価は日中に14%超急落して節目となる安値を更新し、第1サポートレベルの1,325ドルを下抜けて、高値からの下落トレンドへの転換を確定させた。

現在、フィボナッチ・エクステンション1.272（1,224ドル）と心理的節目である1,200ドルに細心の注意を払う必要がある。これらを下回ると、テクニカル的な売りと損切り注文が巻き込まれ、フィボナッチ・エクステンション1.618（1,095ドル）に向けてさらなる下値余地が広がる可能性がある。

急落の後には通常、反発が続くものであり、最初のターゲットは節目となる安値（1,325ドル）の常態的な奪還となる。しかし、この価格は実質的に割り込まれており、現在は上値抵抗線（レジスタンス）に転じている。さらに、下落トレンドは通常1日では終わらない。仮に相場が反発したとしても、その上値は極めて限定的だろう。

したがって、仮に反発が起こったとしても、下落が継続する可能性の方が高い。明確な底打ちシグナル（出来高の極端な減少＋長い下髭＋主要な心理的節目での下げ止まりなど）を待つことをお勧めする。