HBM5熱対策の対決: サムスンHPB対SKハイニックスiHBM, マイクロンは追撃を加速

サムスン電子は自社ブースでHBM5の実物プロトタイプを披露した。同社のソン・ジェヒョク最高技術責任者（CTO）はReutersに対し、「AIシステムがますます複雑化する中、メモリ、ファウンドリ、パッケージングを統合したフルスタック能力が決定要因となるだろう」と語った。

HBM5はベースダイにサムスンの2nmプロセスを採用し、チップ内に埋め込まれた銅ベースの熱伝導構造であるHPB熱管理技術を導入する。これは独立した熱伝達経路を形成することで熱抵抗を大幅に低減するもので、同氏はこれを「煙突」と表現した。

サムスンはHBM5で12層、16層、および20層の積層モデルを提供する計画であり、2028年頃の量産開始を目指している。

Computex開幕のちょうど1週間前にあたる5月26日、SKハイニックスは温度制御・放熱技術「iHBM」を先んじて発表し、HBM5への採用を明言した。

同技術は、最も熱が集中するD2D PHY領域に「ICE」と呼ばれる統合型冷却素子を直接埋め込んで専用の放熱経路を構築し、従来のソリューションと比較して熱抵抗を30%以上低減する。一方で、成熟したMR-MUFパッケージング工程を継続採用することで、顧客の既存システムとの互換性も確保している。

SKハイニックスでパッケージング開発を率いる李康旭（イ・ガンウク）副社長は、「iHBMはメモリー設計と先端パッケージング技術を融合させたもので、発熱を最小限に抑えるための最適なソリューションだ」と述べた。しかし、業界の分析では、同社のHBM5量産開始は2029年から2030年頃と予測されており、サムスン電子より約1年遅れる見通しだ。

SKグループの崔泰源（チェ・テウォン）会長は同イベントで、今後5年間でウェハー生産能力を倍増させる計画であることを明らかにし、「AI主導のメモリーチップ不足は2030年まで続くだろう」と改めて強調した。

マイクロン・テクノロジーはComputexにおいて、HBM4、LPDDR、DDR、GDDR、およびエンタープライズ向けSSDを含む複数の製品ラインを網羅する、AI最適化メモリーおよびストレージ・ソリューションの包括的なポートフォリオを披露した。

同社のエグゼクティブ・バイス・プレジデントであるスミット・サダナ氏は、「システム・パフォーマンスは現在、メモリー帯域幅とメモリー容量によってますます左右されるようになっている。半導体エコシステムにおけるこの構造的変化により、メモリーとストレージは不可欠な戦略的資産となった」と述べた。

特筆すべき点として、マイクロンは2026年分のHBM供給能力がすべて完売したことを発表し、HBMの市場規模予測を、従来の予想より2年早い2028年までに1,000億ドルに達すると上方修正した。

2026年3月のGTCカンファレンスにおいて、マイクロンはまた、NVIDIAのVera Rubinプラットフォーム向けに設計されたHBM4 36GB 12層積層製品の量産出荷を開始したことを認めた。

現時点では、HBMの最大顧客であるNVIDIAは、サムスン（HPB）とSKハイニックス（iHBM）の2つの放熱ソリューションについて公にコメントしていない。関係者によると、NVIDIAは現在両社の技術を検証中であり、最終的な選択は量産歩留まりとシステム統合の効率性に依存するという。

総じて、放熱とパッケージングの歩留まりがHBM競争における中核的なボトルネックとなっている。積層数と熱管理において最初に画期的な進展を遂げた企業が、次世代のAI受注を勝ち取ることになるだろう。

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