【券商聚焦】花旗更新2028年晶圓製造設備預測至2500億美元 上調應用材料、科磊、拉姆研究目標價
金吾財訊 | 花旗於2026年6月17日發佈美國半導體設備行業報告，維持對應用材料、科磊、拉姆研究的“買入”評級，並將目標價分別上調至710美元、290美元、450美元。基於更新後的超大規模雲服務商資本開支模型，花旗引入2028年晶圓製造設備樂觀情境預測2500億美元，並指出因DRAM供應緊張導致結構性NAND需求增長，行業景氣週期有望進一步延長。
花旗預測，在樂觀情境下，全球晶圓製造設備（WFE）市場規模將從2026年的約1450億美元增長至2027年的約2000億美元，並進一步在2028年達到約2500億美元，意味着2028年仍將保持約25%的穩健增長。該預測基於超大規模雲服務商資本開支在2026年、2027年和2028年分別增長84%、56%和38%的模型。花旗認爲，臺積電及存儲芯片製造商持續的產能限制與擴張、英特爾和三星代工業務近期在客戶獲取與先進製程上的進展，均支持了對2028年WFE市場更爲積極的看法。
報告重點分析了由代理式人工智能興起引發的存儲需求結構性變化。多步推理工作流大幅擴展了KV緩存佔用空間，使得總存儲需求超出高成本HBM及DRAM的有效支持範圍，尤其是在DRAM供應受限和定價高企的環境下。這種壓力正推動架構調整，例如英偉達因供應和成本考量將其Vera Rubin NVL72系統中的SoCAMM2 DRAM容量減少了約50%。這反而加速了KV緩存卸載等補充方案的採用，即將中間模型狀態轉移至成本更低、容量更大的存儲層級。假設一座月產15萬片的現代NAND工廠年產約15EB，爲克服DRAM瓶頸，行業需新增2至4座綠地晶圓廠，對應約200億至400億美元的資本開支或150億至300億美元的NAND設備支出。三星、美光等公司已推出基於TLC的PCIe Gen6固態硬盤方案，閃迪也將其高性能橋接閃存的試產線時間表提前了半年至2026年下半年。
個股層面，花旗對應用材料給出31倍市盈率，基於2028年每股盈利預測將目標價從550美元上調至710美元；對拉姆研究給出40倍市盈率，目標價從315美元上調至450美元；對科磊給出40倍市盈率，目標價從206.4美元上調至290美元。花旗預計這三家公司2027年和2028年的營收年增長率分別在24%至30%以及22%之間。關鍵下行風險包括行業競爭加劇、整體半導體市場需求弱於預期，以及中美貿易與知識產權緊張局勢導致的中國市場需求放緩。
