【券商聚焦】花旗調高美光科技(MU)目標價至1200美元 存儲芯片價格漲勢料延續至2027年

金吾財訊 | 花旗於2026年6月17日發佈研報，覆蓋美光科技（Micron Technology，MU.O），維持“買入”評級，將目標價由此前的840美元大幅上調至1200美元。此次調整基於年初至今存儲芯片價格優於預期的表現，新目標價對應2027年預估每股收益的10倍市盈率，潛在總回報率約17.6%。花旗認爲，數據中心強勁需求與供給受限的格局將持續推動產品均價上行。

花旗同步上調了美光的盈利預測。將2026財年第三季度營收及每股收益預估上調6%，第四季度上調5%，全年每股收益預測由58.46美元調升至60.73美元，小幅高於市場一致預期的59.67美元。對於2027財年，花旗將每股收益預測由104.56美元大幅上調10%至114.73美元，較市場共識的110.32美元高出4%。上調主因是對產品均價，尤其是高帶寬內存（HBM）價格前景的樂觀預期。

在覈心產品價格驅動力方面，花旗全球存儲團隊預計，受數據中心加速增長的代幣處理需求與有限供給共同作用，2026年DRAM平均售價將上漲200%。分季度看，預計第二、三、四季度DRAM均價將分別環比上漲37%、13%和11%。NAND閃存方面，同樣受強勁需求與溫和供給增長推動，全年均價預計上漲186%，第二、三、四季度環比漲幅分別爲45%、17%和6%。花旗特別指出，DRAM現貨價格自4月初以來已上漲22%，且當前現貨價較合約價高出21%，預示合約價格仍有上行空間。

供需分析方面，花旗預計2026年全球DRAM市場將面臨5%的供給缺口，且此輪上升週期有望延續至2027年，HBM明年定價將繼續走高。今年的漲價動力主要來自大宗或非HBM DRAM的供需失衡。研報提及，部分廠商如美光2026年的DRAM位元產出增長率預計可達42%。此外，由於DRAM供給有限，英偉達Vera Rubin平臺出現DRAM降規使用的情況，這可能加速配套的NAND解決方案（如KV緩存卸載）的採用，對純NAND廠商和半導體設備商構成利好。