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金吾財訊 | 據國防科技大學官網消息,近日,該大學和中國科學院金屬研究所聯合研究團隊在新型高性能二維半導體晶圓級生長和可控摻雜領域取得重要突破,實現了晶圓級、摻雜可調的單層WSi2N4薄膜的可控生長,其研發的新方法將疇區尺寸提升至亞毫米級,生長速率較已有文獻報道值高出約3個數量級。有望爲後摩爾時代自主可控的芯片技術提供關鍵材料和器件支撐。目前,相關成果在線發表於國際頂級期刊《國家科學評論》。
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