華盛資訊3月12日訊,在Sandisk $SNDK 、希捷科技、西部數據等存儲同行們紛紛交出“超預期”成績單後,市場的目光正集中到壓軸登場的存儲巨頭——美光科技。
美光將於當地時間3月18日(下週二)美股盤後發佈2026財年Q2財報,市場等待的不只是一份強勁的財報,更是管理層對這輪AI驅動的“存儲超級週期”還能持續多久的正面回應。
在財報發佈前夕,華爾街對美光本季度的業績預期已拉至歷史高點。據彭博分析師預期:

投資者關注三大核心看點
從需求端看,AI產業正從訓練階段走向推理階段,對存儲容量、帶寬與存取效率的需求呈現指數型提升。這一技術演變,使本輪DRAM的漲幅顯著高於歷史水平。同時讓各大雲廠商們對企業級SSD(eSSD)等高性能產品需求也遠超預期。
從供給端看,三大原廠(三星、SK海力士、美光)將產能優先向高利潤的HBM產品傾斜,擠壓了傳統DRAM和NAND的供給。這種“需求爆發+供給約束”的格局,爲存儲芯片價格帶來了前所未有的上漲動能。
TrendForce預計,2026Q1 DRAM合約價將有90%-95%的環比漲幅;2026Q1 NAND Flash合約價將有55%-60%的環比增幅,且不排除仍有進一步上修的空間。

作爲全球存儲三巨頭之一,美光以22.4%的DRAM市佔率位列全球第三,NAND Flash市佔率12.2%位居第五。憑藉全面的產品線佈局,美光正全方位受益於本輪AI存儲漲價紅利。
盈利方面,上季度美光科技毛利率達到56%,並給出本季度毛利率指引上限爲68%。Needham分析師認爲,超大規模雲計算服務商Hyperscaler等客戶大量採購企業級SSD等高價值產品,正推動公司平均銷售價格與毛利率持續優化。
本輪存儲漲價能持續多久?毛利率能否兌現上季度指引?都將成爲本次財報的關鍵看點。
全球HBM市場目前由SK海力士、三星和美光三分天下。作爲AI算力核心的“急先鋒”,美光的高帶寬內存(HBM)業務一直是市場關注的焦點。美光管理層已在上一財季明確表示,已經簽約定價售罄了,包括最新的HBM4。
然而財報前夕,市場傳來消息:據韓國經濟日報報道,英偉達計劃在今年下半年推出的下一代AI加速器Vera Rubin,將採用三星電子和SK海力士提供的HBM4,而美光被排除在Vera Rubin的HBM4供應鏈之外,可能僅用於Rubin系列中定位較低的中端加速器。
對此,美光迅速回應稱,HBM4“已通過了英偉達認證”,且已經“提前開始出貨”,並進入了高量產階段。
此次財報,市場將高度關注管理層對HBM業務的進一步披露:2026年HBM產能是否真正售罄?HBM4量產節奏與客戶驗證進度究竟如何?
上季度,美光給出的業績指引遠超預期:預計營收187億美元、毛利率67%(中值),績後股價大漲超10%。本季度,能否再次給出“驚豔”的業績指引,將成爲存儲價格能否持續上漲的重要信號。
資本開支方面,上季度美光將資本開支小幅提升至200億美元,主要用於擴大高帶寬內存(HBM)產能及先進製程節點(如1γ製程)的擴產。瑞銀預計美光2026/2027財年總資本開支預計爲265億/350億美元。美光是否繼續上調資本開支?是否仍保持謹慎擴產?都將直接影響行業未來供給格局,成爲市場密切關注的焦點。
華爾街密集上調目標價!高呼“存儲超級週期”尚未結束
據TipRanks最新數據顯示,基於27位華爾街分析師在過去三個月內對美光提出的12個月目標價格,平均目標價爲438.44美元 ,最高預測爲650美元 ,最低預測爲300美元。

花旗維持對美光科技的“買入”評級,並在該公司公佈季度業績前將該股的目標價從385美元上調至430美元,理由是內存價格飆升和人工智能需求旺盛。
分析師Atif Malik團隊表示:“我們上調了2月季度/4月季度的業績預期,高於市場預期,主要原因是年初至今的內存價格走強。”分析師預計,受數據中心強勁需求的推動,2026年DRAM平均售價將同比增長171%;受eSSD強勁需求的推動,NAND閃存平均售價將同比增長127%。此外,媒體報道顯示,三星將在第一季度環比提高DRAM價格100%。
瑞銀分析師認爲,美光業績有兩大支撐。首先,核心DRAM和NAND的定價動態均在走強,短缺可能持續到2027年下半年甚至延續至2028年,尤其是DRAM。原因在於:由於缺乏晶圓廠空間、設備交付週期延長以及現場服務和工藝工程師短缺導致工具安裝和認證困難等因素,內存生產商難以足夠快地增加產能。此外,巨頭紛紛把大部分新增產能將分配給HBM,這將延長DDR5和NAND的嚴重短缺。
其次,美光科技正在利用當前市場緊張局勢達成新的長期協議,這些協議將放棄一些近期定價上漲空間,但會在未來幾年創造更可持續的收入和盈利。
大摩表示,今年一季度存儲迎來新一輪大幅漲價,且2026年供應增長有限,難以緩解當前嚴重的供需失衡局面,預計全年價格將持續上行。該行解釋稱,全球存儲芯片持續供應短缺推高了動態隨機存取存儲器(DRAM)/NAND閃存的價格——DDR5現貨價格年內大漲30%、較1月合約價高出130%。大摩強調,“這意味着主流產品價格可能再次翻倍”。並且,如果供需缺口無法彌補,這場漲價風暴就不會停止,而AI需求的持續高增長又會進一步擴大了供需缺口。
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