消息稱三星電子將停產2DNAND閃存 原有產線用於1c nm DRAM內存製程

金吾財訊 | 三星電子最早將在今年3月停止在華城園區12號生產線製造2D NAND閃存，該企業的2D NAND閃存時代也將隨之正式結束。三星電子早在2013年就實現了3D NAND (V-NAND) 的量產，不過三星還是保留了小規模的2D NAND產能以應對特殊利基市場的需求。華城12號生產線未來將服務於1c nm DRAM內存製造，負責後端的金屬佈線和表面處理工藝。