消息稱三星電子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%

金吾財訊 | 業內人士透露，三星電子內部已實現1c DRAM 80%的良率，這是在高溫環境下（熱測試）取得的最高良率，2025年第四季度其良率約爲60-70%，如今已顯著提升，並有望在5月份左右達到90%。業內人士進一步表示，三星基於1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度約爲50%。