路透6月12日 - 美光科技MU.O周四表示,計劃將其在美國國內內存製造領域的投資擴大到約1500億美元,研發領域的投資擴大到500億美元。
這家芯片製造商的股票在盤前交易中下跌了約1%。
美光表示,這標誌著該公司將在先前計劃的基礎上追加 300 億美元的投資。
新增投資將主要用於在愛達荷州博伊西建設第二個尖端存儲器工廠,以及擴建弗吉尼亞州馬納薩斯的現有生產設施。
美光的投資旨在為美國帶來先進的封裝能力--這是高帶寬內存(HBM) 所必需的製造技術,該技術在人工智能市場得到了廣泛應用。
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