中國長江存儲計劃跨足DRAM市場--消息人士

路透9月25日 - 三位知情人士透露，中國龍頭閃存芯片製造商長江存儲（YMTC）正計劃擴大業務範圍，跨足DRAM芯片生產，包括用於製造人工智能(AI)芯片組的先進版本。

在美國於12月擴大出口管制，限制中國取得高帶寬內存（HBM）後，長江存儲的舉措凸顯出中國日益迫切需要提高其製造先進芯片的能力。

其中兩位消息人士表示，長江存儲正在開發一種名為硅通孔（TSV）的先進芯片封裝技術，用於堆疊動態隨機存取存儲器（DRAM），以生產 HBM 芯片。

由於信息尚未公開，消息人士不願具名。

其中一位消息人士表示，長江存儲也在考慮將其武漢建設中新工廠的一部分用於生產 DRAM 芯片。

長江存儲沒有回應置評請求。路透無法確定新廠計劃的月產能，也無法確定有多少產能將用於 DRAM 生產。

摩根士丹利的研究報告表示，截至 2024 年底，長江存儲在武漢的兩座現有晶圓廠主要生產 NAND 芯片，每月可生產 16 萬片 12 英寸晶圓，預計今年將擴產 6.5 萬片。(完)