日經225大漲2%，KOSPI 低開築底， SK海力士與三星微幅上漲，軟銀大跌4%
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亞洲時間11月9日，日韓股市開盤分化築底。日經 225 指數大漲 2.05% 至 58,614.33 點，受低估值抄底資金帶動；韓國 KOSPI 指數則低開 1.33% 報 4,992.5 點，消化前期高槓桿賣壓，三星上漲 1.22%。美股半導體止跌化解了東亞晶片供應鏈的避險警報。投資啟示在於，後續需密切觀察外資動向與記憶體晶片價格止跌訊號，這將決定記憶體巨頭能否帶動 KOSPI 指數展開箱體收復行情。
TradingKey - 日韓股市開盤分化，日經大漲 2.05%，KOSPI 低開築底，三星上漲 1.22%。
亞洲時間11月9日，日韓兩國股市在經歷了上一週重挫之後，今日開盤表現呈現明顯的分化與築底喘息態勢。日本日經 225 指數受惠於超跌後的逢低買盤與低估值抄底資金挹注，開盤展現反彈走勢；而韓國股市開盤仍受到前期高槓桿清理餘波影響，小幅低開消化賣壓。
韓國綜合指數KOSPI開盤下跌1.33%，仍然處於5,000關口下方，暫報4,992.5點；三星電子上漲1.22%，暫報191,000 韓元；SK海力士漲0.8%，暫報1,141,000 韓元。
KOSPI指數圖表，來源：TradingView
日經225指數高開高走，大漲2.05%，暫報報58,614.33 點；鎧俠下跌1.09%，暫報8,418 日圓；軟銀大跌4.51%，報3,389 日圓。
上週五美股交易中，AI 霸主輝達 (NVDA) 展現出強勁的現貨買盤承接，而納指與費城半導體指數（SOX）同步止跌，這直接化解了上週集中傳導至東亞晶片供應鏈的全球極致避險警報。
然而，後續需密切觀察外資是否由賣轉買。一旦記憶體晶片（HBM3e/HBM4 及 DRAM）價格止跌訊號明確，SK 海力士與三星電子將帶動 KOSPI 指數展開箱體收復行情。
