超越輝達台積電！SK海力士72%營業利潤率撐起史上最強財報
AI 播客
SK 海力士公布 2026 財年第一季創紀錄的業績，營收與營業利潤分別年增 298% 及 505%，營業利益率高達 72%，超越輝達及台積電。主要歸因於 DRAM 與 NAND 快閃記憶體價格上漲，以及高附加價值產品佔比提升。AI 運算對高性能記憶體需求強勁，供需失衡預計持續。為應對 AI 算力需求爆發，SK 海力士將顯著提升 2026 年資本支出，重點擴充龍仁集群、M15X 產線及採購 EUV 設備，同時推進先進封裝投資，並與客戶協同開發 HBM4，並將推出 LPDDR6 及優化 SOCAMM2。
TradingKey - 本週四早間，南韓記憶體晶片巨頭 SK 海力士揭露了創立以來最為亮眼的單季成績單，營收與利潤指標雙雙刷新歷史紀錄，季度營收首次突破 50 兆韓元大關，獲利能力在全球半導體產業中脫穎而出。
根據最新財報，SK 海力士 2026 財年第一季實現營業收入 52.58 兆韓元，較前一季激增 160%，較 2025 年同期更是大幅增長 298%；營業利潤達到 37.61 兆韓元，較前一季暴漲 196%，年增幅高達 505%。
對應的營業利益率升至 72%，創下公司成立以來的單季最高水準，對於 SK 海力士這類重資產屬性的記憶體廠商而言，如此強勁的利潤彈性較為少見。
從產業橫向對比來看，SK 海力士 72% 的營業利益率不僅超過了輝達（NVDA）2025 年第四季創下的 65% 半導體產業峰值紀錄，也大幅領先台積電（TSM）2026 年第一季 58.1% 的營業利益率。
對於業績大幅增長的原因，SK 海力士將其歸結為 DRAM 和 NAND 快閃記憶體產品價格的持續上漲，以及高附加價值產品在營收結構中佔比的不斷提升。
公司管理層強調，當前人工智慧運算對高性能記憶體晶片的戰略需求日益凸顯，而全球範圍內的高端記憶體產能仍處於緊張狀態，這一供需失衡格局預計將在未來較長時間內持續，為產品價格維持高位提供支撐。
儘管第一季通常是記憶體晶片產業的傳統淡季，但人工智慧基礎設施建設的大規模投資創造了強勁的需求增量，推動公司獲利能力逆勢攀升。
受財報利多影響，該公司股價在韓國早盤交易中一度上漲 3.6%，隨後漲幅收窄，最終收漲 0.16%。
SK海力士加速產能佈局
受 AI 算力需求爆發帶動，全球 DRAM 市場正上演激烈的技術與市佔爭奪戰。
未來資產證券 (Mirae Asset Securities) 估算，第一季 DRAM 平均售價較前一季上漲 60.8%，NAND 快閃記憶體漲幅則達 55.3%，隨著資料中心投資規模擴大，企業級固態硬碟 (SSD) 的需求也出現顯著增長。
Counterpoint Research 最新監測數據顯示，受記憶體價格持續走高的拉動，DRAM 市場已連續兩個季度實現 30% 的季增率，而這一輪漲價潮的核心動力，正是 AI 晶片對高頻寬記憶體 (HBM) 的爆發式需求。
公司財報顯示，當前客戶需求已全面超出供應能力，基於這一市場格局，SK 海力士將 2026 年定位為戰略性產能擴張關鍵期——本財年資本支出將較上年顯著提升，重點用於龍仁集群基礎設施建設、M15X 產線擴產及關鍵設備採購。
SK 海力士明確表示，2026 年的投資規模將顯著高於 2025 年的 30.2 兆韓元，核心聚焦 M15X 技術產線、龍仁園區基礎設施以及 EUV 設備佈局。截至今年第一季末，公司現金及約當現金已增至 54.3 兆韓元，有息負債則降至 19.3 兆韓元，實現 35 兆韓元的淨現金儲備。
與此同時，SK 海力士正推進規模約 19 兆韓元的先進封裝工廠投資計劃，並將在 2027 年前向 ASML 採購總價值約 11.95 兆韓元的 EUV 設備。可以看到，產業利潤正逐步從企業利潤表，流向設備採購、封裝技術升級及產能擴張環節。
SK 海力士表示：「我們將戰略性地擴大生產規模，以便能夠積極應對中長期需求的增長，我們將確保供應的穩定性與財務的穩健性。」
SK 海力士押注 AI 記憶體
在 AI 核心的 HBM 領域，公司正與客戶深度協同推進 HBM4 開發，計劃按約定進度實現量產爬坡。
同時 DRAM 領域已率先完成業界首款 1cnm LPDDR6 開發，將於下半年隨某主要智慧型手機客戶的下一代旗艦機型規模化供貨，同時針對輝達 Vera Rubin 平台優化的 1cnm 192GB SOCAMM2 已啟動量產。
在 NAND 快閃記憶體領域，採用 CTF 架構 321 層 QLC 技術的 PQC21 用戶端固態硬碟已推向市場，企業級固態硬碟（eSSD）佈局了高效能 TLC 與高容量 QLC 的均衡產品線，還將藉助 Solidigm 在高容量 QLC eSSD 上的技術優勢，深化 AI 資料中心與 AI PC 儲存市場的競爭力。
SK 海力士判斷，人工智慧正從大模型訓練階段向自主式 AI 演進，即時推理循環場景的普及將持續拓寬記憶體需求基本面，DRAM 與 NAND 快閃記憶體兩大品類均將受益於這一長期趨勢。
為此，公司明確將透過持續迭代新品覆蓋多樣化需求場景，尤其針對 HBM 產品，將從效能、良率、品質與供應穩定性四大維度強化全鏈路交付能力，以匹配 AI 時代的結構性增長需求。
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