美光股價預測：記憶體供給緊張將持續至2027年，股價有望重返1000美元
AI 播客
美光股價近期自低點強勁反彈，分析師認為前期回檔非基本面惡化所致，目前美光基本面持續改善。受AI伺服器需求驅動，記憶體供需吃緊態勢預計延續至2027年，且高階HBM良率難度提升，支撐長期定價能力。針對中國長鑫存儲競爭，因技術差距及產品結構錯位，全球影響有限，短期對高階市場不構成實質威脅。技術面而言，美光正處於關鍵修復期，股價需有效突破918至925美元的下降通道壓力，方能確認中長期趨勢轉強。投資人應密切關注907.09美元的首要支撐位，若能守穩，上看953.30美元，但若遇阻回落，則需警惕震盪盤整風險。
Tradingkey - 美光（MU）股價自 6 月 25 日創下歷史新高 1254.8 美元後便一路回檔，並於 7 月 29 日股價達到波段低點 737.88 美元。美銀分析師 Vivek Arya 指出，近期股價的重新定價，反映的是投資人提前布局以因應潛在下行週期，「而非對基本面的回應」——而他認為基本面目前仍在持續改善。
截至美東時間 8 月 5 日，美光已反彈至 915 美元附近，區間漲幅逾 20%。目前美光的股價已重新站上多條短中期均線，處於下降通道的上軌附近。若股價進一步上行，則有望確認技術結構由下跌趨勢轉為修復。
在此關鍵節點上，美光股價能否重返上漲趨勢，關鍵在於記憶體供需吃緊格局能否延續、中國廠商競爭是否構成實質衝擊，以及技術面能否完成對下降通道的有效突破。
記憶體供應吃緊將持續至2027年
據媒體 DIGITIMES 援引業界人士透露，三星電子、美光及 SK 海力士的 DRAM 與高頻寬記憶體 (HBM) 2027 年產能已全數分配完畢，涵蓋長期協議大客戶及中小型買家。
報導指出，客戶最終獲得的配貨量僅為其初始要求的 60% 至 70%。業界人士指出，2027 年將進入記憶體短缺最嚴峻的階段。配貨數量目前已大致敲定，但最終出貨定價將更接近交付時確定。
與此同時，三星電子、美光、晟碟的 NAND Flash 全年產能亦已預售一空，鎧俠與 SK 海力士預計最晚於 2026 年 8 月底前完成分配。
高盛表示，AI 伺服器驅動的 HBM 需求持續超越供給，而最新一代 HBM 的良率因製程節點更先進、堆疊層數更高而明顯下滑，加上 HBM 與一般 DRAM 之間更高的轉換比率，使得供給擴張的難度進一步上升。高盛預計 2027 年 HBM 供需缺口將比今年更為吃緊。
高盛進一步預計，三星電子和 SK 海力士的 HBM 綜合均價將在 2027 年分別較去年同期上漲約 87% 和 100%，雙雙接近每 Gb 2.9 美元。其中，同類產品價格漲幅約為 60%，其餘增量來自產品組合改善。
儘管近期各大廠商為因應供應吃緊均選擇擴大產能。三星計劃擴產 50%，SK 海力士大幅增加資本支出、推動 265 億美元 IPO 及韓國本土超過 8800 億美元的產業投資，美光則承諾到 2035 年在美國投入 2500 億美元。
然而晨星分析師警告，新建晶圓廠產能需 2 至 3 年才能投產，當峰值產出遇上需求放緩，將面臨顯著的供過於求風險。
長鑫存儲（CXMT）的影響局限於中國本土市場
隨著長鑫儲存於 7 月 27 日完成上市，與美光、三星、SK 海力士正式開啟競爭。投資人擔憂中國記憶體廠商恐衝擊全球供需格局。
有報導指出，蘋果已開始測試長鑫儲存的 DRAM 晶片。另據近期報導，主要 PC 廠商已開始為部分筆記型電腦機型採購長鑫儲存的 DRAM 晶片，以因應持續的記憶體短缺局面。
然而，高盛認為，長鑫儲存的擴張將以滿足中國國內需求為主，對全球供需吃緊格局的實質性衝擊有限。從技術差距來看，高盛援引 TrendForce 數據指出，長鑫儲存目前主流製程相當於 1z 節點，而三星和海力士正處於 1a/1b 向 1c 節點的過渡階段。
從產品結構來看，長鑫儲存約 70% 的行動 DRAM 出貨量為 LPDDR4(X)，而三星和海力士的行動 DRAM 中 LPDDR5(X) 佔比已達 75% 至 85%，產品定位明顯錯開。
美銀認為，中國長鑫儲存 (CXMT) 在人工智慧領域「尚不構成威脅」，因其主要供應的是普通 DRAM，而非高頻寬記憶體。
美光股價預測：有望重返1000美元
從美光的股價圖來看，自 737.88 美元階段低點反彈後延續修復，已重新站上多條短中期均線，並回到 0.618 斐波那契回檔位 (907.09 美元) 上方。
短線多頭仍占一定優勢，但當前價格正測試長期下降通道上軌，走勢處於「反彈延續」能否升級為「趨勢修復」的關鍵確認階段。
美光兩小時股價圖，來源：TradingView
從型態上看，股價目前貼近下降通道上軌運行，約 918—925 美元區域同時受到通道壓力與前期成交密集區約束。若股價能夠連續站穩該區間上方，意味著下降通道可能被正式突破；反之，若衝高回落，則仍應視為通道內的反彈修復。
短線首要支撐為 0.618 斐波那契回檔位 (907.09 美元)，該位置同時接近 80 日均線與近期均線支撐帶，是當前反彈結構的核心強弱分界。若回測後守穩，股價仍有機會向上挑戰通道上軌及 0.786 斐波那契回檔位 (953.30 美元)。
下方第二道支撐關注 0.5 斐波那契回檔位 (874.78 美元)，若跌破則說明本波反彈動能明顯減弱；進一步下方則看 0.382 斐波那契回檔位 (842.47 美元)。
當前最大風險在於，美光雖已回到主要均線上方，但尚未完成對下降通道上軌的有效突破，918—925 美元區域一旦反覆受阻，短線獲利賣壓可能推動價格重新回測 907.09 美元。只有帶量站穩通道上軌，並進一步突破 0.786 斐波那契回檔位 (953.30 美元)，才能更有力確認中期技術結構由下跌趨勢轉向修復。
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