中国长江存储计划跨足DRAM市场--消息人士

路透9月25日 - 三位知情人士透露，中国龙头闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正计划扩大业务范围，跨足DRAM芯片生产，包括用于制造人工智能(AI)芯片组的先进版本。

在美国于12月扩大出口管制，限制中国取得高带宽内存（HBM）后，长江存储的举措凸显出中国日益迫切需要提高其制造先进芯片的能力。

其中两位消息人士表示，长江存储正在开发一种名为硅通孔（TSV）的先进芯片封装技术，用于堆叠动态随机存取存储器（DRAM），以生产 HBM 芯片。

由于信息尚未公开，消息人士不愿具名。

其中一位消息人士表示，长江存储也在考虑将其武汉建设中新工厂的一部分用于生产 DRAM 芯片。

长江存储没有回应置评请求。路透无法确定新厂计划的月产能，也无法确定有多少产能将用于 DRAM 生产。

摩根士丹利的研究报告表示，截至 2024 年底，长江存储在武汉的两座现有晶圆厂主要生产 NAND 芯片，每月可生产 16 万片 12 英寸晶圆，预计今年将扩产 6.5 万片。(完)