三星tron的HBM4芯片预计将于本月晚些时候开始出货

三星tron预计将于本月晚些时候开始出货其下一代高带宽内存HBM4。据业内可靠消息人士透露，出货预计将在农历新年假期之后进行。.

，三星电子tron将成为首家将这款被广泛认为是人工智能计算领域颠覆性芯片的商业化存储器制造商。

该公司计划最早于2月第三周开始向英伟达交付HBM4显存。英伟达预计将在其下一代人工智能加速器平台Vera Rubin中使用这种显存。.

三星计划本月开始出货HBM4芯片

此举标志着命运。此前，三星在HBM芯片领域的竞争力一直备受质疑和批评。凭借HBM4，三星的目标是缩小与同城竞争对手SK海力士凭借人工智能数据中心的强劲需求，在该领域取得了早期领先地位。

一位业内人士表示，此举将为三星在科技领域带来急需的复苏。.

业内人士还提到，作为首家大规模生产高性能 HBM4 的公司，该公司在按照自己的意愿塑造市场方面拥有明显的优势。.

预计英伟达将在本月晚些时候举行的年度开发者大会GTC 2026上发布搭载HBM4显存的Vera Rubin加速器。三星表示，出货时间是在与英伟达的产品路线图和下游系统级测试计划协调后确定的。.

除了速度之外，三星在产品技术方面的创新也值得关注。从一开始，该公司就计划超越JEDEC制定的标准，率先采用了业界第六代10纳米级DRAM（1c）工艺与自主研发的4纳米逻辑芯片相结合的技术。.

因此，三星的 HBM4 可提供每秒约 11.7 Gbps 的数据传输速度，远远高于 JEDEC 的 8 Gbps 标准。.

该数值也比标准提高了 37%，比上一代 HMB3E 提高了 22%。.

据消息人士透露，该内存堆栈的单栈内存带宽最高可达每秒3TB，约为其前代产品的2.4倍。此外，它采用12层堆叠设计，最大容量可达36GB。.

行业估计显示，未来采用 16 层高配置后，容量可增长至 48GB。.

在大规模生产之前，预计还会有进一步的改进。

业内人士指出，尽管采用了尖端工艺，三星在量产前已实现了稳定的良率，随着产量的扩大，预计良率还会进一步提高。.

三星还谈到了能效，指出 HBM4 的设计旨在最大限度地提高计算性能，同时降低能耗，帮助数据中心降低电力使用和冷却成本。.

该公司预计今年的HBM销量将比去年增长三倍以上，并已决定在其平泽园区4号生产线增设生产线以扩大产能。业内人士补充说，该工厂预计每月将生产约10万至12万片晶圆，专门用于HBM4产品中使用的1c DRAM。

去年，三星已经为 1c DRAM 工艺建立了每月约 6 万至 7 万片晶圆的产能。.

随着计划中的扩产，HBM4 的 1c 总产量计划达到每月约 20 万片晶圆，约占三星 DRAM 总产能（约 78 万片晶圆）的四分之一。.

预计HBM4市场将由三星和SK海力士主导，而总部位于美国的Micron Technology已被视为退出竞争。市场 trac机构SemiAnalysis预测，SK海力士预计将占据HBM4市场约70%的份额，而三星将占据剩余的30%。.

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