Everspin Technologies, Inc. 致力于提供磁阻随机存取存储器 (MRAM) 解决方案。该公司的 MRAM 解决方案提供具有随机存取存储器 (RAM) 速度和耐用性的非易失性存储器,并能够保护关键任务数据,尤其是在电源中断或故障的情况下。其 MRAM 技术组合包括 Toggle MRAM 和自旋转移力矩 MRAM (STT-MRAM)。Toggle MRAM 产品包括行业标准接口,包括并行、串行外设接口 (SPI) 和四路 SPI (QSPI) 接口。其 STT-MRAM 技术可在动态随机存取存储器 (DRAM)、SRAM 和 NOR 闪存应用中提供产品。该公司提供带有 DDR3 和 DDR4 衍生接口的产品,便于用 STT-MRAM 替换电池供电的 DRAM。其 3D 隧道磁阻 (TMR) 传感器在单个组件中提供高磁灵敏度,可在单片解决方案中执行 3D 磁场测量。
公司代码MRAM
公司名称Everspin Technologies Inc
上市日期Oct 07, 2016
CEODr. Sanjeev Aggarwal, Ph.D.
员工数量86
证券类型Ordinary Share
年结日Oct 07
公司地址5670 W. Chandler Boulevard
城市CHANDLER
上市交易所NASDAQ Global Market Consolidated
国家United States of America
邮编85226
电话14803471111
网址https://www.everspin.com/
公司代码MRAM
上市日期Oct 07, 2016
CEODr. Sanjeev Aggarwal, Ph.D.