存储芯片迎超级周期，花旗喊出美光840美元目标价！即将发布的英伟达财报会印证芯片牛市吗？

当前DRAM市场的涨价潮正全面铺开，三星在2026年第一季度率先将产品价格上调100%，美光也计划于同年第二季度跟进，幅度约为40%。

这轮涨价的核心驱动力来自普通商用DRAM（非HBM）的供需失衡，从设备厂商应用材料（AMAT）的硅系统销售展望来看，到2026年底，DRAM的比特供应增速预计仅能达到30%左右，这样的增量显然无法匹配2027年AI数据中心爆发式的需求增长，后续行业需要投入新的晶圆产能才能填补缺口。

花旗的预测数据也印证了这一趋势，2026年DRAM均价同比涨幅将达到200%左右，NAND价格同比涨幅约为186%，这意味着内存行业正处在一轮历史性的强定价周期中。

与此同时，HBM的供应紧张态势仍在持续，2027年的涨价预期也在不断升温，这正是美光估值被上调的核心原因之一。

生产HBM所需占用的晶圆产能是普通DRAM的3至4倍，但当前HBM与商用内存之间的盈利差距，还不足以吸引内存厂商大规模转换产能或者新增生产线，因此厂商们在供给端普遍保持谨慎，这也导致HBM的供应始终处于偏紧状态。

在供给受限的格局下，2027年HBM的价格仍有上行空间，不过内存厂商也会维持自律性的供给管理，避免因价格过高导致AI数据中心削减HBM的采购量。

在全球内存芯片制造领域，韩国的SK海力士和三星电子占据着领先地位，其中SK海力士是英伟达HBM芯片的主要供应商，而三星和美光则在这一领域与其展开直接竞争。

花旗分析师指出，HBM的供应紧张局面仍在持续，由于HBM与普通DRAM之间3到4倍的晶圆转换率，以及两者之间的利润率差距，目前内存制造商缺乏转换或新增HBM产能的动力。这里的3比4晶圆转换率，通常指的是3英寸和4英寸半导体衬底之间的物理切换成本或加工难度对比。

分析师还提到，鉴于HBM产能紧张的现状，2027年其价格大概率会继续走高，而内存厂商在增加供应时会保持克制，防止明年AI数据中心减少HBM的搭载量。

但值得注意的是，需求端的风险同样不可小觑。

思科（CSCO）已经因为内存涨价的压力，在包括无线产品在内的20余条产品线中，将DRAM的用量削减了50%，这一案例也给行业敲响了警钟，过高的内存价格可能会抑制部分终端需求，内存厂商需要在涨价节奏和需求维系之间找到平衡点。

AI应用的加速渗透正在重塑存储芯片行业的格局，这一点在美光2026年第一季度的业绩电话会议上得到了清晰印证。管理层在会议上强调，面向AI基础设施的高容量数据中心SSD、KV缓存部署需求，以及适配英伟达（NVDA）AI算力集群的PCIe Gen6 SSD需求正呈现爆发式增长，这一信号显示AI相关存储芯片的需求覆盖范围，已远超不少华尔街分析师此前的预期。

除花旗之外，梅利乌斯研究公司分析师Ben Reitzes同样上调将美光的目标价从700美元大幅上调至1100美元，涨幅高达57%，按此测算，美光当前股价仍有大约65%的上涨空间，同时雷茨斯维持了对该股的买入评级。

他表示，其研究团队对存储芯片领域及人工智能半导体行业整体充满信心，不仅上调了美光的估值，还同步提高了AMD（AMD）、英特尔（INTC）、Marvell（MRVL）、高通（QCOM）和SanDisk（SNDK）等多家芯片企业的长期估值，认为芯片制造商将持续抢占传统软件企业的价值份额。

从存储市场的长期动态来看，摩根大通（JPM）分析师Jay Kwon预计，内存芯片价格的上涨趋势至少将延续到2027年末，长期供应合同的存在，有望为这一历来周期性极强的行业带来更多稳定性。

眼下，英伟达即将发布的财报，被市场视为下一轮行情的核心催化剂。

当前，投资者正将资金从英伟达GPU这一核心赛道，分散布局到此前未被充分重视的AI受益领域，这些领域的产品对于AI基建的支撑作用，此前并未被市场充分认知。投资者普遍押注，随着AI产业从训练阶段向智能体应用阶段过渡，除计算芯片外，存储芯片等其他AI组件的需求也将迎来爆发式增长。

即将于5月20日美股盘后公布的英伟达2027财年第一季度财报（统计截至4月26日的业绩）其表现将成为左右美股后续走向的核心变量，因为这份财报将为全球人工智能基础设施建设的需求是否依然强劲，提供最直接的验证依据。华尔街主流机构普遍预期，英伟达仍将交出远超市场预期的营收与利润增长数据。