tradingkey.logo


AXT Inc

AXTI
î˜đ
āļ”āļđāđāļœāļ™āļ āļđāļĄāļīāđ‚āļ”āļĒāļĨāļ°āđ€āļ­āļĩāļĒāļ”
24.060USD
+3.630+17.77%
āļ›āļīāļ” 02/06, 16:00ETāļĢāļēāļ„āļēāļĨāđˆāļēāļŠāđ‰āļē 15 āļ™āļēāļ—āļĩ
1.11BāļĄāļđāļĨāļ„āđˆāļēāļ•āļĨāļēāļ”
āļ‚āļēāļ”āļ—āļļāļ™P/E TTM

Intraday
1m
30m
1h
D
W
M
D

āļ§āļąāļ™āļ™āļĩāđ‰

+17.77%

5 āļ§āļąāļ™

+29.77%

1 āđ€āļ”āļ·āļ­āļ™

+19.29%

6 āđ€āļ”āļ·āļ­āļ™

+1062.32%

āļ•āđ‰āļ™āļ›āļĩāļˆāļ™āļ–āļķāļ‡āļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™

+47.16%

1 āļ›āļĩ

+1003.67%

āļ”āļđāđāļœāļ™āļ āļđāļĄāļīāđ‚āļ”āļĒāļĨāļ°āđ€āļ­āļĩāļĒāļ”

āļ„āļ°āđāļ™āļ™āļŦāļļāđ‰āļ™ TradingKey āļ‚āļ­āļ‡ AXT Inc

āļŠāļāļļāļĨāđ€āļ‡āļīāļ™: USD āļ­āļąāļ›āđ€āļ”āļ•āđ€āļĄāļ·āđˆāļ­: 2026-02-06

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāđ€āļŠāļīāļ‡āļĨāļķāļ

āļ›āļąāļˆāļˆāļąāļĒāļžāļ·āđ‰āļ™āļāļēāļ™āļ‚āļ­āļ‡ AXT Inc āļ„āđˆāļ­āļ™āļ‚āđ‰āļēāļ‡ āļĄāļąāđˆāļ™āļ„āļ‡āđ‚āļ”āļĒāļĄāļĩāļāļēāļĢāđ€āļ›āļīāļ”āđ€āļœāļĒāļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨ ESG āļ­āļĒāļđāđˆāđƒāļ™āļĢāļ°āļ”āļąāļšāļ„āđˆāļēāđ€āļ‰āļĨāļĩāđˆāļĒāļ‚āļ­āļ‡āļ­āļļāļ•āļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāđāļĨāļ°āļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļžāđƒāļ™āļāļēāļĢāđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ•āļ™āļąāđ‰āļ™ āļŠāļđāļ‡āļĄāļđāļĨāļ„āđˆāļēāļ›āļĢāļ°āđ€āļĄāļīāļ™āļ‚āļ­āļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āļ™āļĩāđ‰āļ–āļ·āļ­āļ§āđˆāļē āļĄāļđāļĨāļ„āđˆāļēāļĒāļļāļ•āļīāļ˜āļĢāļĢāļĄāļ­āļąāļ™āļ”āļąāļš 47 āļˆāļēāļāļ—āļąāđ‰āļ‡āļŦāļĄāļ” 104 āđƒāļ™āļ­āļļāļ•āļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ āđ€āļ‹āļĄāļīāļ„āļ­āļ™āļ”āļąāļāđ€āļ•āļ­āļĢāđŒāđāļĨāļ°āļ­āļļāļ›āļāļĢāļ“āđŒāđ€āļ‹āļĄāļīāļ„āļ­āļ™āļ”āļąāļāđ€āļ•āļ­āļĢāđŒāđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļ–āļ·āļ­āļ„āļĢāļ­āļ‡āđ‚āļ”āļĒāļŠāļ–āļēāļšāļąāļ™āļ–āļ·āļ­āļ§āđˆāļē āļŠāļđāļ‡āļĄāļēāļāļ•āļĨāļ­āļ”āļŠāđˆāļ§āļ‡āđ€āļ”āļ·āļ­āļ™āļ—āļĩāđˆāļœāđˆāļēāļ™āļĄāļē āļ™āļąāļāļ§āļīāđ€āļ„āļĢāļēāļ°āļŦāđŒāļŦāļĨāļēāļĒāļĢāļēāļĒāđ„āļ”āđ‰āļˆāļąāļ”āļ­āļąāļ™āļ”āļąāļšāđ€āļ›āđ‡āļ™ āļ‹āļ·āđ‰āļ­ āđ‚āļ”āļĒāļĄāļĩāļĢāļēāļ„āļēāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāļŠāļđāļ‡āļŠāļļāļ”āļ—āļĩāđˆ 16.50āđƒāļ™āļĢāļ°āļĒāļ°āļāļĨāļēāļ‡ āļ„āļēāļ”āļ§āđˆāļēāļĢāļēāļ„āļēāļŦāļļāđ‰āļ™āļˆāļ° āļĄāļĩāđāļ™āļ§āđ‚āļ™āđ‰āļĄāļ‚āļēāļ‚āļķāđ‰āļ™āđāļĄāđ‰āļ§āđˆāļēāļœāļĨāļāļēāļĢāļ”āļģāđ€āļ™āļīāļ™āļ‡āļēāļ™āđƒāļ™āļ•āļĨāļēāļ”āļŦāļļāđ‰āļ™āļˆāļ°āļ­āļĒāļđāđˆāđƒāļ™āļĢāļ°āļ”āļąāļšāļ›āļēāļ™āļāļĨāļēāļ‡āđƒāļ™āļŠāđˆāļ§āļ‡āđ€āļ”āļ·āļ­āļ™āļ—āļĩāđˆāļœāđˆāļēāļ™āļĄāļē āđāļ•āđˆāļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āļĄāļĩāļ—āļąāđ‰āļ‡āļ›āļąāļˆāļˆāļąāļĒāļžāļ·āđ‰āļ™āļāļēāļ™āđāļĨāļ°āļŠāļąāļāļāļēāļ“āļ—āļēāļ‡āđ€āļ—āļ„āļ™āļīāļ„āļ—āļĩāđˆāđāļ‚āđ‡āļ‡āđāļāļĢāđˆāļ‡āļĢāļēāļ„āļēāļŦāļļāđ‰āļ™āļāļģāļĨāļąāļ‡āđ€āļ„āļĨāļ·āđˆāļ­āļ™āđ„āļŦāļ§āđƒāļ™āļāļĢāļ­āļšāđāļ„āļšāļĢāļ°āļŦāļ§āđˆāļēāļ‡āđāļ™āļ§āļĢāļąāļšāđāļĨāļ°āđāļ™āļ§āļ•āđ‰āļēāļ™ āļ—āļģāđƒāļŦāđ‰āđ€āļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļšāļāļēāļĢāđ€āļ—āļĢāļ”āđāļšāļšāļŠāļ§āļīāļ‡āđƒāļ™āļāļĢāļ­āļšāļĢāļēāļ„āļē

āļ„āļ°āđāļ™āļ™āļ‚āļ­āļ‡ AXT Inc

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāļ—āļĩāđˆāđ€āļāļĩāđˆāļĒāļ§āļ‚āđ‰āļ­āļ‡

āļ­āļąāļ™āļ”āļąāļšāđƒāļ™āļ­āļļāļ•āļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ
47 / 104
āļ­āļąāļ™āļ”āļąāļšāļĢāļ§āļĄ
169 / 4521
āļ­āļļāļ•āļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ
āđ€āļ‹āļĄāļīāļ„āļ­āļ™āļ”āļąāļāđ€āļ•āļ­āļĢāđŒāđāļĨāļ°āļ­āļļāļ›āļāļĢāļ“āđŒāđ€āļ‹āļĄāļīāļ„āļ­āļ™āļ”āļąāļāđ€āļ•āļ­āļĢāđŒ

āđāļ™āļ§āļ•āđ‰āļēāļ™ & āđāļ™āļ§āļĢāļąāļš

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāļ—āļĩāđˆāđ€āļāļĩāđˆāļĒāļ§āļ‚āđ‰āļ­āļ‡āļĒāļąāļ‡āđ„āļĄāđˆāđ„āļ”āđ‰āļĢāļąāļšāļāļēāļĢāđ€āļ›āļīāļ”āđ€āļœāļĒāļˆāļēāļāļ—āļēāļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—

āđāļœāļ™āļ āļđāļĄāļīāđ€āļĢāļ”āļēāļĢāđŒ

āļĢāļēāļ„āļēāļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™
āļ„āļĢāļąāđ‰āļ‡āļāđˆāļ­āļ™

āļāļēāļĢāļ™āļģāđ€āļŠāļ™āļ­āļ‚āđˆāļēāļ§āļ‚āļ­āļ‡āļŠāļ·āđˆāļ­

24 āļŠāļąāđˆāļ§āđ‚āļĄāļ‡āļ—āļĩāđˆāļœāđˆāļēāļ™āļĄāļē
āļĢāļ°āļ”āļąāļšāļāļēāļĢāļ™āļģāđ€āļŠāļ™āļ­āļ‚āđˆāļēāļ§

āļ•āđˆāļģāļĄāļēāļ
āļŠāļđāļ‡āļĄāļēāļ
āđ€āļŠāļīāļ‡āļĨāļš

āļˆāļļāļ”āđ€āļ”āđˆāļ™āļ‚āļ­āļ‡ AXT Inc

āļˆāļļāļ”āđāļ‚āđ‡āļ‡āļ„āļ§āļēāļĄāđ€āļŠāļĩāđˆāļĒāļ‡
AXT, Inc. is a material science company that develops and manufactures high-performance compound and single element semiconductor wafer substrates comprising indium phosphide (InP), gallium arsenide (GaAs) and germanium (Ge). Its wafer substrates are used when a typical silicon wafer substrate cannot meet the performance requirements of a semiconductor or optoelectronic device. It has two product lines: specialty material substrates and raw materials integral to these substrates. Its InP is a semiconductor wafer substrate used in broadband and fiber optic applications, 5G infrastructure and data center connectivity. Its semi-conducting GaAs substrates are used to create opto-electronic products, including high brightness light emitting diodes that are often used to backlight wireless handsets and LCD televisions and for automotive, signage, and lighting applications. Its Ge substrates are used in applications, such as solar cells for space and terrestrial photovoltaic applications.
āļāļģāļĨāļąāļ‡āđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ•
āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āļ­āļĒāļđāđˆāđƒāļ™āļŠāđˆāļ§āļ‡āļāļēāļĢāđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ• āđ‚āļ”āļĒāļĄāļĩāļĢāļēāļĒāđ„āļ”āđ‰āļĢāļ§āļĄāļ›āļĢāļ°āļˆāļģāļ›āļĩāļĨāđˆāļēāļŠāļļāļ”āļ­āļĒāļđāđˆāļ—āļĩāđˆ USD 99.36M
āļĄāļđāļĨāļ„āđˆāļēāļŠāļđāļ‡āđ€āļāļīāļ™āļˆāļĢāļīāļ‡
PB āļĨāđˆāļēāļŠāļļāļ”āļ‚āļ­āļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āļ­āļĒāļđāđˆāļ—āļĩāđˆ 6.33 āļ‹āļķāđˆāļ‡āļ­āļĒāļđāđˆāđƒāļ™āļŠāđˆāļ§āļ‡āđ€āļ›āļ­āļĢāđŒāđ€āļ‹āđ‡āļ™āđ„āļ—āļĨāđŒāļŠāļđāļ‡āļŠāļļāļ”āļ‚āļ­āļ‡āļĢāļ­āļš 3 āļ›āļĩ
āļāļēāļĢāļ‚āļēāļĒāđ‚āļ”āļĒāļŠāļ–āļēāļšāļąāļ™
āļāļēāļĢāļ–āļ·āļ­āļ„āļĢāļ­āļ‡āļĨāđˆāļēāļŠāļļāļ”āđ‚āļ”āļĒāļŠāļ–āļēāļšāļąāļ™āļ­āļĒāļđāđˆāļ—āļĩāđˆ 16.01M āļŦāļļāđ‰āļ™ āļĨāļ”āļĨāļ‡ 1.77% āđāļšāļšāđ„āļ•āļĢāļĄāļēāļŠāļ•āđˆāļ­āđ„āļ•āļĢāļĄāļēāļŠ
āļ–āļ·āļ­āļ„āļĢāļ­āļ‡āđ‚āļ”āļĒ The Vanguard
āļ™āļąāļāļĨāļ‡āļ—āļļāļ™āļŠāļ·āđˆāļ­āļ”āļąāļ‡ The Vanguard āļ–āļ·āļ­āļŦāļļāđ‰āļ™āļ•āļąāļ§āļ™āļĩāđ‰āļ­āļĒāļđāđˆāļˆāļģāļ™āļ§āļ™ 2.11M āļŦāļļāđ‰āļ™

āļĢāļēāļ„āļēāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāļ™āļąāļāļ§āļīāđ€āļ„āļĢāļēāļ°āļŦāđŒ

āļ­āđ‰āļēāļ‡āļ­āļīāļ‡āļˆāļēāļāļ™āļąāļāļ§āļīāđ€āļ„āļĢāļēāļ°āļŦāđŒāļ—āļąāđ‰āļ‡āļŦāļĄāļ” 5 āļ„āļ™
āļ‹āļ·āđ‰āļ­
āļ„āļ°āđāļ™āļ™āļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™
16.500
āļĢāļēāļ„āļēāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒ
-19.24%
āđ‚āļ­āļāļēāļŠāđƒāļ™āļāļēāļĢāđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ•āļ‚āļ­āļ‡āļĢāļēāļ„āļē
āļ„āļģāļŠāļĩāđ‰āđāļˆāļ‡: āļāļēāļĢāļˆāļąāļ”āļ­āļąāļ™āļ”āļąāļšāđāļĨāļ°āļĢāļēāļ„āļēāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāđ‚āļ”āļĒāļ™āļąāļāļ§āļīāđ€āļ„āļĢāļēāļ°āļŦāđŒāļˆāļąāļ”āļ—āļģāđ‚āļ”āļĒ LSEG āđ€āļžāļ·āđˆāļ­āļ§āļąāļ•āļ–āļļāļ›āļĢāļ°āļŠāļ‡āļ„āđŒāđƒāļ™āļāļēāļĢāđƒāļŦāđ‰āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāđ€āļ—āđˆāļēāļ™āļąāđ‰āļ™ āđāļĨāļ°āđ„āļĄāđˆāļ–āļ·āļ­āđ€āļ›āđ‡āļ™āļ„āļģāđāļ™āļ°āļ™āļģāđƒāļ™āļāļēāļĢāļĨāļ‡āļ—āļļāļ™

AXT Inc āļ‚āđˆāļēāļ§āļŠāļēāļĢ

āļˆāļ°āļĄāļĩāļ‚āđˆāļēāļ§āļŠāļēāļĢāđ€āļžāļīāđˆāļĄāđ€āļ•āļīāļĄāđ€āļĢāđ‡āļ§āđ† āļ™āļĩāđ‰ āđ‚āļ›āļĢāļ”āļ•āļīāļ”āļ•āļēāļĄ...

āļ•āļąāļ§āļŠāļĩāđ‰āļ§āļąāļ”āļ—āļēāļ‡āļāļēāļĢāđ€āļ‡āļīāļ™î˜

EPS

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāļ—āļĩāđˆāđ€āļāļĩāđˆāļĒāļ§āļ‚āđ‰āļ­āļ‡āļĒāļąāļ‡āđ„āļĄāđˆāđ„āļ”āđ‰āļĢāļąāļšāļāļēāļĢāđ€āļ›āļīāļ”āđ€āļœāļĒāļˆāļēāļāļ—āļēāļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—

āļĢāļēāļĒāđ„āļ”āđ‰āļĢāļ§āļĄ

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāļ—āļĩāđˆāđ€āļāļĩāđˆāļĒāļ§āļ‚āđ‰āļ­āļ‡āļĒāļąāļ‡āđ„āļĄāđˆāđ„āļ”āđ‰āļĢāļąāļšāļāļēāļĢāđ€āļ›āļīāļ”āđ€āļœāļĒāļˆāļēāļāļ—āļēāļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨ AXT Inc

AXT, Inc. is a material science company that develops and manufactures high-performance compound and single element semiconductor wafer substrates comprising indium phosphide (InP), gallium arsenide (GaAs) and germanium (Ge). Its wafer substrates are used when a typical silicon wafer substrate cannot meet the performance requirements of a semiconductor or optoelectronic device. It has two product lines: specialty material substrates and raw materials integral to these substrates. Its InP is a semiconductor wafer substrate used in broadband and fiber optic applications, 5G infrastructure and data center connectivity. Its semi-conducting GaAs substrates are used to create opto-electronic products, including high brightness light emitting diodes that are often used to backlight wireless handsets and LCD televisions and for automotive, signage, and lighting applications. Its Ge substrates are used in applications, such as solar cells for space and terrestrial photovoltaic applications.
āļŠāļąāļāļĨāļąāļāļĐāļ“āđŒāļĒāđˆāļ­āļ‚āļ­āļ‡āļŦāļļāđ‰āļ™AXTI
āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—AXT Inc
āļ‹āļĩāļ­āļĩāđ‚āļ­Young (Morris S)
āđ€āļ§āđ‡āļšāđ„āļ‹āļ•āđŒhttp://www.axt.com/site/index.php?q=node/1
KeyAI
î™